Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства

Исследованы оптические свойства цилиндрических мезаструктур на основе GaAs до и после пассивации, выполненной с применением обработки структур в водородной плазме с последующим атомно-слоевым осаждением слоя Al$_2$O$_3$. В качестве светоизлучающей области мезаструктур использованы квантовая яма In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As/GaAs и сверхрешетка GaAs/AlAs. Диаметр мез изменялся от 3 до 20 $\mu$m. В результате пассивации получено 8-кратное увеличение интенсивности фотолюминесценции мез диаметром 9 $\mu$m при комнатной температуре, а исследования фотолюминесценции таких мезаструктур с разрешением по времени продемонстрировали увеличение времени жизни носителей заряда с 0.13 до 0.9 ns.