|
|
2018, том 52, выпуск 1
|
 |
|
 |
|
XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.
|
|
Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин
|
5–9 |
|
|
Исследования конденсата поляритонов в микрорезонаторных микростолбиках в сильных магнитных полях
А. В. Черненко, А. С. Бричкин, С. И. Новиков, К. Шнайдер, С. Хёфлинг
|
10–15 |
|
|
Эффективная масса и $g$-фактор электронов в широких квантовых ямах теллурида ртути
С. В. Гудина, В. Н. Неверов, Е. В. Ильченко, А. С. Боголюбский, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, С. М. Подгорных, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий
|
16–22 |
|
|
Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах
В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, J. P. Kakko, H. Lipsanen
|
23–27 |
|
|
Электронные свойства полупроводников
|
|
|
О подвижности носителей заряда определенной энергии
Ю. М. Белоусов, В. Н. Горелкин, И. В. Черноусов
|
28–34 |
|
|
Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия
А. М. Мусаев
|
35–37 |
|
|
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
|
|
|
Спектры инфракрасного отражения пленок топологического изолятора Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se ($x$ = 0.2, 0.34) на подложке ZnTe/GaAs и колебательные моды многослойных структур
Н. Н. Новикова, В. А. Яковлев, И. В. Кучеренко, В. С. Виноградов, Ю. А. Алещенко, А. В. Муратов, G. Karczewski, S. Chusnutdinow
|
38–44 |
|
|
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
|
|
|
Механизм фазового перехода полупроводник-металл в тонких пленках состава Sm$_{1-x}$ Gd$_{x}$S
В. В. Каминский, С. М. Соловьев, Г. Д. Хавров, Н. В. Шаренкова
|
45–47 |
|
|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
|
|
|
Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев
Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев
|
48–56 |
|
|
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs
А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, С. С. Рувимов, В. Н. Неведомский, М. В. Максимов, А. Е. Жуков
|
57–62 |
|
|
Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si
А. Н. Софронов, Р. М. Балагула, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, А. А. Тонких, А. А. Саркисян, Д. Б. Айрапетян, Л. С. Петросян, Э. М. Казарян
|
63–67 |
|
|
Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники
|
|
|
Электретный эффект в композитах полимер–сегнетопьезокерамика с различной электроотрицательностью полимерной матрицы и катионов пьезофазы
М. А. Курбанов, И. С. Рамазанова, З. А. Дадашев, У. В. Юсифова, Г. Х. Гусейнова, К. К. Азизова, И. А. Фараджзаде
|
68–75 |
|
|
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
|
|
|
Определение термодинамических параметров в областях фазовых переходов в Cu$_{1.95}$Ni$_{0.05}$S
Ф. Ф. Алиев, Г. А. Гасанов, А. Г. Рзаева, М. Б. Джафаров, Г. М. Дамиров
|
76–82 |
|
|
Особенности свойств полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ в мультизеренной наноструктуре
Н. Д. Жуков, В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, Д. С. Мосияш, А. А. Хазанов, М. И. Шишкин
|
83–88 |
|
|
Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами
М. Е. Бойко, М. Д. Шарков, Л. Б. Карлина, А. М. Бойко, С. Г. Конников
|
89–92 |
|
|
Физика полупроводниковых приборов
|
|
|
Двухконтактные тандемные солнечные элементы DSC/$c$-Si: оптимизация параметров фотоэлектрода на основе диоксида титана
А. Б. Никольская, М. Ф. Вильданова, С. С. Козлов, О. И. Шевалеевский
|
93–97 |
|
|
Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов
|
98–104 |
|
|
О пространственной локализации свободных электронов в $n$-канальных МОП-транзисторах на основе 4$H$-SiC
П. А. Иванов
|
105–109 |
|
|
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
|
|
|
Исследование структуры объемного гетероперехода в полимерных солнечных элементах с помощью комбинации ультрамикротомирования и атомно-силовой микроскопии
А. М. Алексеев, A. Ал-Афееф, Г. Д. Хедли, С. С. Харинцев, А. Е. Ефимов, А. Т. Едрисов, Н. А. Дюжев, И. Д. Самуэль
|
110–117 |
|
|
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Harald Leiste, Monika Rinke
|
118–124 |
|
|
Исследование структуры нитевидных нанокристаллов сульфида кадмия, синтезированных методом вакуумного испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме
А. П. Беляев, В. В. Антипов, В. П. Рубец
|
125–126 |
|
|
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов
|
127–132 |
|
|
Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
В. В. Мамутин, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, М. А. Яговкина, Ю. М. Шерняков, В. М. Устинов
|
133–137 |
|
|
Новый механизм реализации омических контактов
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Р. В. Конакова
|
138–142 |
|
|
Обратная связь: