|
|
2018, том 52, выпуск 10
|
 |
|
 |
|
Электронные свойства полупроводников
|
|
Суперионная проводимость твердых растворов (TlGaSe$_{2}$)$_{1-x}$(TlInS$_{2}$)$_{x}$
Р. М. Сардарлы, А. П. Абдуллаев, Н. А. Алиева, Ф. Т. Салманов, М. Ю. Юсифов, А. А. Оруджева
|
1111–1114 |
|
|
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
|
|
|
Формирование спектров люминесценции, интенсивность излучения в УФ и видимой областях структур $n$-ZnO/$p$-GaN, $n$-ZnO/$p$-ZnO при нанесении пленок ZnO методом высокочастотного магнетронного распыления
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова
|
1115–1119 |
|
|
Люминесценция и стимулированное излучение поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$, осажденных методом магнетотронного напыления
И. Е. Свитенков, В. Н. Павловский, Е. В. Луценко, Г. П. Яблонский, В. Я. Ширипов, Е. А. Хохлов, А. В. Мудрый, В. Д. Живулько, О. М. Бородавченко, М. В. Якушев
|
1120–1125 |
|
|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
|
|
|
Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный
|
1126–1130 |
|
|
Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs
С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, В. Н. Неведомский, Л. А. Cокура, С. С. Рувимов, М. З. Шварц, А. Е. Жуков
|
1131–1136 |
|
|
Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники
|
|
|
Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой на рост ncl–Si в матрице $a$-SiO$_{x}$:H (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол%)
Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, И. Н. Трапезникова
|
1137–1144 |
|
|
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
|
|
|
Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO$_{2}$: подбор параметров эмпирического метода сильной связи
А. В. Белолипецкий, М. О. Нестоклон, И. Н. Яссиевич
|
1145–1149 |
|
|
Физика полупроводниковых приборов
|
|
|
Влияние электростатического поля периферии на вентильный фотоэффект в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
Н. А. Торхов
|
1150–1171 |
|
|
Спектры люминесценции мощных светодиодов на основе нитрида галлия в ультрафиолетовой и фиолетовой областях спектра
В. В. Волков, Л. М. Коган, А. Н. Туркин, А. Э. Юнович
|
1172–1176 |
|
|
Анализ особенностей деградации, вызываемой горячими носителями, в транзисторах с каналом в форме плавника
А. А. Макаров, С. Э. Тягинов, B. Kaczer, M. Jech, A. Chasin, A. Grill, G. Hellings, М. И. Векслер, D. Linten, T. Grasser
|
1177–1182 |
|
|
Определение концентрации водорода по фотоэдс МДП структур Pd–оксид–InP
Е. А. Гребенщикова, Х. М. Салихов, В. Г. Сидоров, В. А. Шутаев, Ю. П. Яковлев
|
1183–1186 |
|
|
Влияние низкодозного протонного облучения на характеристики инжекционных диодов на основе 4$H$-SiC
П. А. Иванов, А. С. Потапов, М. Ф. Кудояров, Т. П. Самсонова
|
1187–1190 |
|
|
Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
М. В. Максимов, А. М. Надточий, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. П. Васильев, В. М. Устинов, А. А. Сeрин, Н. Ю. Гордеев, А. Е. Жуков
|
1191–1196 |
|
|
Особенности спектров ИК отражения и комбинационного рассеяния кристаллов Sb$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$
С. А. Немов, В. Д. Андреева, Ю. В. Улашкевич, А. В. Поволоцкий, А. А. Аллаххах
|
1197–1202 |
|
|
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
|
|
|
Выращивание монокристаллов FeIn$_{2}$S$_{2}$Se$_{2}$ и исследование их свойств
И. В. Боднарь, С. А. Детков, Ю. В. Касюк, Ю. А. Федотова
|
1203–1206 |
|
|
Влияние условий синтеза и наночастиц олова на структуру и свойства композитных тонких пленок $a$-С:Н$\langle$Sn$\rangle$
А. П. Рягузов, Р. Р. Немкаева, Н. Р. Гусейнов
|
1207–1212 |
|
|
Тонкие пленки селенида меди(I): состав, морфология, структура, оптические свойства
Л. Н. Маскаева, Е. А. Федорова, В. Ф. Марков, М. В. Кузнецов, О. А. Липина, А. В. Поздин
|
1213–1219 |
|
|
Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния
В. П. Попов, В. А. Антонов, В. И. Вдовин
|
1220–1227 |
|
|
Исследование профиля эффективного показателя преломления в самоорганизующихся наноструктурированных пленках ITO
Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, И. Ю. Смирнова, С. И. Павлов
|
1228–1236 |
|
|
Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии
В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, С. О. Усов, М. И. Митрофанов, Я. В. Левицкий, В. П. Евтихиев
|
1237–1243 |
|
|
Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Б. Я. Бер, А. Б. Смирнов
|
1244–1249 |
|
|
Персоналии
|
|
|
Памяти Константина Дамдиновича Цэндина (15.09.1942–04.04.2018)
|
1250 |
|
|
Обратная связь: