|
Резонансные состояния Te-вакансионной природы в PbTe И. А. Черник, А. В. Березин, С. Н. Лыков, Е. П. Сабо, Ю. Д. Титаренко
|
1–8 |
|
Зонная структура и нелинейно-оптические восприимчивости кристаллов KTiOPO$_{4}$ Я. О. Довгий, И. В. Китык, В. А. Дьяков
|
9–13 |
|
Плазменные колебания в полупроводниках с безмассовыми электронами А. Д. Маргулис, Вл. А. Маргулис
|
14–20 |
|
Основное состояние диполь-дипольной системы в поле одноионной анизотропии Е. Н. Булгаков
|
21–25 |
|
Вторично-электронная эмиссия из оксидных сверхпроводников Ю. Я. Томашпольский, М. А. Севостьянов, Н. В. Садовская, Н. В. Колганова, Н. Г. Ширина
|
26–28 |
|
Эмиссионные характеристики пленок тербия и лютеция на гранях монокристалла вольфрама М. А. Шевченко, С. А. Шакирова
|
29–32 |
|
Поведение магнитной теплоемкости при фазовом переходе антиферромагнетик$-$ферримагнетик в системе Li$-$Zn ферритов В. Г. Вологин
|
33–41 |
|
Объемная визуализация $180^{\circ}$-сегнетоэлектрических доменов в LiNbO$_{3}$ с помощью электрооптических эффектов А. И. Отко, А. Е. Носенко, И. М. Сольский, Я. В. Бурак
|
42–47 |
|
Особенности многократного спинового эха в неоднородных магнетиках В. О. Голуб, В. В. Котов, А. Н. Погорелый, Ю. А. Подъелец
|
48–51 |
|
Микроскопический вывод уравнений Гинзбурга$-$Ландау на основе обобщенной модели Хаббарда Р. О. Зайцев
|
52–58 |
|
Упорядочение нецентральных ионов на поверхности сильно поляризуемых кристаллов. Локализованное сегнето- и пьезоэлектричество Б. Е. Вугмейстер, Ю. А. Косевич
|
59–62 |
|
Наблюдение дислокационного флаттер-резонанса в температурной зависимости рассеяния неравновесных фононов в кристаллах LiF В. И. Альшиц, С. Н. Иванов, Я. М. Сойфер, А. В. Таранов, Е. Н. Хазанов
|
63–65 |
|
Турбулентность в разогретой электронно-дырочной плазме З. И. Васюнык, В. В. Гафийчук, Б. С. Кернер, В. В. Осипов
|
66–69 |
|
Влияние дефектов структуры на угловое распределение рентгеновской дифракции в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем В. А. Бушуев
|
70–78 |
|
Резонанс локальных колебаний и суперионная проводимость в Na$_{5}$RESi$_{4}$O$_{12}$ М. Е. Компан
|
79–83 |
|
Связанные состояния двумерных экситонов и биэкситонов на кулоновской примеси в сильном магнитном поле А. Б. Дзюбенко
|
84–91 |
|
Кросс-релаксация в парамагнитных кристаллах при низких температурах Д. А. Таюрский
|
92–97 |
|
Содержание кислорода и природа слабых связей металлооксидной керамики YВа$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$ А. К. Асадов, П. Н. Михеенко
|
98–105 |
|
Оптическое детектирование кросс-релаксационных резонансов в условиях оптической накачки $F$-центров Н. Г. Романов, В. В. Дьяконов, В. А. Ветров, П. Г. Баранов
|
106–111 |
|
Макроскопические квантовые эффекты в монокристаллах сверхпроводника Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ В. Ф. Мастеров, А. В. Федоров, С. В. Козырев, К. Ф. Штельмах
|
112–115 |
|
Поверхностные поляритоны на границе между доменами Г. Х. Китаева, С. П. Кулик, А. Н. Пенин
|
116–123 |
|
Особенности магнитных свойств Sm$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$ и электронная структура ионов самария О. А. Дорофеев, А. И. Попов
|
124–126 |
|
Экситонное комбинационное рассеяние света в двумерной электронной системе Л. И. Коровин, С. Т. Павлов, Б. Э. Эшпулатов
|
127–134 |
|
Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации В. Н. Абакумов, А. А. Пахомов, И. Н. Яссиевич
|
135–148 |
|
Механизм фотопереноса заряда в рубине В. С. Вихнин
|
149–159 |
|
Ударное возбуждение и оже-распад экситонно-примесных комплексов в системе экситонов высокой плотности Г. В. Михайлов, Д. К. Нельсон, Б. С. Разбирин, В. А. Харченко
|
160–170 |
|
О корреляции температуры сверхпроводящего перехода и температурной зависимости электросопротивления в переходных металлах с точечными дефектами А. А. Мамалуй, С. О. Овчаренко
|
171–175 |
|
Однокристальная реализация метода асимптотической брэгговской дифракции А. М. Афанасьев, Р. М. Имамов, А. А. Ломов, Д. В. Новиков
|
176–181 |
|
Влияние заряда глубокого примесного центра на оптические переходы в сложную валентную зону В. И. Галиев, А. А. Пахомов, А. Ф. Полупанов
|
182–192 |
|
Универсальная диаграмма характеристических параметров центров прилипания носителей заряда и соответствующих термостимулированных спектров в полупроводниках и диэлектриках М. А. Ризаханов
|
193–196 |
|
Межцентровые переходы носителей заряда в частично разупорядоченном кремнии: расчет В. С. Львов, В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов
|
197–205 |
|
Межцентровые переходы носителей заряда в частично разупорядоченном кремнии: эксперимент и обсуждение результатов В. С. Львов, В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов
|
206–213 |
|
Молекулярно-лучевая эпитаксия и фотолюминесцентное определение упругих деформаций слоев CaF$_{2}$ и SrF$_{2}$ на GaAs (111) Я. Г. Копьев, С. В. Новиков, Н. С. Соколов, Н. Л. Яковлев
|
214–219 |
|
К теории магнитных осцилляций скорости звука в металле И. А. Ахиезер, Д. П. Белозоров, З. А. Спольник
|
220–224 |
|
Выход фотоэлектронов в вакуум из GaAs с рассеянием энергии в процессе туннелирования через потенциальный барьер, образованный активирующим слоем Э. Л. Нолле
|
225–233 |
|
Микроконтактная спектроскопия интерметаллических соединений PrAl$_{3}$ и LaAl$_{3}$ Н. М. Пономаренко, А. И. Акименко, И. К. Янсон, Г. С. Бурханов, О. Д. Чистяков, Н. Б. Кольчугина
|
234–242 |
|
О спектре колебаний доменных границ в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках В. Н. Нечаев, А. М. Рощупкин
|
243–247 |
|
Медленная релаксация поляризации и особенности низкочастотного диэлектрического спектра триглицинсульфата в области фазового перехода Н. М. Галиярова
|
248–252 |
|
Анализ линеаризованных подходов в спин-поляризованных релятивистских расчетах актинидов И. В. Соловьев, А. И. Лихтенштейн
|
253–258 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
Релаксация энергии фотовозбужденной электронно-дырочной плазмы в твердом растворе CdS$_{1-x}$Se$_{x}$ Р. Балтрамеюнас, С. Юршенас, А. Жукаускас, Э. Куокштис
|
259–261 |
|
Метод квантового дефекта и оптические свойства аморфного As$_{2}$S$_{2}$ В. В. Стружкин
|
261–263 |
|
О низкотемпературных спектрах люминесценции кристаллов ZnO в области экситонного резонанса В. М. Арутюнян, A. Л. Маргарян
|
263–266 |
|
Фононный спектр кристаллов $\alpha$-GeO$_{2}$ с нарушенной стехиометрией В. Г. Мазуренко, В. С. Кортов, А. Ф. Зацепин
|
266–268 |
|
Магнитные моменты иттрия и циркония в интерметаллических соединениях YFe$_{2}$ и ZrFe$_{2}$ В. А. Васильковский, А. А. Горленко, А. К. Куприянов
|
268–270 |
|
Дрейф доменной границы в звуковой волне С. И. Денисов
|
270–272 |
|
Определение нижних уровней спектра Np$^{4+}$ в NpOS по данным магнитной восприимчивости А. В. Калинченко
|
272–274 |
|
Влияние водорода на сверхпроводимость Bi$_{2}$Ca$_{3}$Sr$_{2}$Cu$_{4}$O$_{12+\delta}$ В. В. Синицын, И. О. Башкин, Е. Г. Понятовский, В. И. Ращупкин, С. Ф. Кондаков, В. М. Прокопенко
|
275–276 |
|
Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в компенсированных кристаллах CdTe : Сl Н. В. Агринская, А. Н. Алешин
|
277–280 |
|
Резонансные свойства комбинационного рассеяния света в монокристаллах YВа$_{2}$Сu$_{3}$O$_{7-x}$ О. В. Мисочко
|
280–282 |
|
О равновесной плотности тока двумерных электронов в скрещенных магнитном и электрическом полях Г. Г. Самсонидзе
|
282–284 |
|
Зарядовые состояния ионов хрома в халькогенидных шпинельных полупроводниках И. Г. Боцан, В. И. Жеру, С. И. Радауцан, С. А. Рацеев, В. Е. Тэзлэван
|
285–287 |
|
Строение доменной границы вблизи поверхности сегнетоэлектрика Б. М. Даринский, А. П. Лазарев, А. С. Сидоркин
|
287–289 |
|
Структура и магнитные свойства комплексов двухвалентного серебра в кристаллах BaF$_{2}$ М. М. Зарипов, В. А. Уланов, М. Л. Фалин
|
289–291 |
|
Комбинационное рассеяние света на локальных колебаниях твердых растворов Ge$_{1-x}$Si$_{x}$ В. А. Гайслер, О. А. Кузнецов, И. Г. Неизвестный, Л. К. Орлов, М. П. Синюков, А. Б. Талочкин
|
292–297 |
|
Обнаружение немагнитного состояния кобальта в магнитных соединениях Gd$_{1-x}$Zr$_{x}$Co$_{2}$ А. К. Куприянов, С. А. Никитин, А. В. Сальникова, З. С. Умхаева
|
297–299 |
|
Электронная структура и оптические свойства SrO В. С. Степанюк, А. А. Григоренко, О. В. Фарберович, А. А. Кацнельсон
|
299–301 |
|
Соотношение между упругими постоянными и межатомными силовыми константами халькогенидных хромовых шпинелей MCr$_{2}$X$_{4}$ (M = Cd, Zn, Hg; X = S, Se) Г. М. Квашнин, О. П. Квашнина
|
301–303 |
|
Стабилизация центров окраски в кристаллах KCl В. В. Гаврилов, А. В. Гектин, В. Я. Серебрянный, А. Н. Вараксин
|
303–305 |
|
Суперпарамагнитные свойства пленок Pd$-$Fe Р. М. Мирзабабаев
|
305–307 |
|
Фазовая $p$, $T$ $x$-диаграмма сегнетоэлектрических кристаллов (Pb$_{x}$Sn$_{1-x})_{2}$P$_{2}$S$_{6}$ В. С. Шуста, Е. И. Герзанич, А. Г. Сливка, П. П. Гуранич
|
308–310 |
|
Динамика доменных границ в (210) Bi-содержащих гранатовых пленках В. А. Боков, В. В. Волков, Н. Л. Петриченко, Л. А. Иевенко, В. П. Клин
|
310–311 |
|
Экситоны в поглощении и фотопроводимости монокристалла TlGaSe$_{2}$ Г. И. Абуталыбов, Л. С. Ларионкина, Н. А. Рагимова
|
312–313 |
|
Недиабатичность в поляризационном операторе И. Е. Драгунов, Е. В. Зароченцев, С. М. Орел
|
314–316 |
|
О природе тонкой структуры рентгеновского фотоэлектронного спектра C1S-электронов кристаллического углерода Е. М. Байтингер, Ю. А. Тетерин, Ф. Ф. Кугеев
|
316–319 |
|
Теория гистерезиса горизонтальных $2\pi$-линий Блоха при перемагничивании доменной границы Ю. А. Димашко
|
319–321 |
|
Феноменологическая теория фазовых переходов в Fe$_{2}$P С. В. Павлов
|
321–323 |