|
Феноменологическая модель динамической проводимости суперионных проводников
А. А. Волков, Г. В. Козлов, С. П. Лебедев, А. С. Ракитин
|
329–337 |
|
|
Распространение электромагнитных волн вдоль поверхности многоподрешеточных магнетиков с электроактивными спиновыми колебаниями
В. Н. Криворучко
|
338–342 |
|
|
Электропроводность в системе биполяронов малого радиуса при низких температурах: туннельный механизм переноса
В. В. Брыксин
|
343–352 |
|
|
Слабые сегнетоэлектрики: поведение скорости и затухания гиперзвука при различной степени «слабости»
И. Г. Синий, А. И. Федосеев, М. Д. Волнянский
|
353–363 |
|
|
Мессбауэровские исследования спин-переориентационного перехода в поверхностном слое и объеме Fe$_{3}$BO$_{6}$
А. С. Камзин, Л. А. Григорьев
|
364–367 |
|
|
Формирование, рост и электронные спектры микрокристаллов окиси бария
Н. В. Васильева, В. А. Иванов, Т. С. Кирсанова, Т. А. Тумарева
|
368–372 |
|
|
Движение жидких включений в кристалле, обусловленное радиационными дефектами
В. С. Кружанов, О. В. Подшивалова
|
373–378 |
|
|
Бесконтактные измерения критических токов в сверхпроводящих пластинах и пленках
М. П. Петров, М. В. Красинькова, Ю. И. Кузьмин, И. В. Плешаков
|
379–383 |
|
|
Создание центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах при импульсном радиационном воздействии
И. П. Денисов, В. Ю. Яковлев
|
384–390 |
|
|
Влияние быстро осциллирующего магнитного поля на доменные границы с внутренней структурой
В. С. Герасимчук
|
391–397 |
|
|
Теплопроводность смешанных кристаллов галогенидов таллия
М. Е. Стржалковский, Е. В. Чарная
|
398–402 |
|
|
Межпримесная излучательная рекомбинация в кристаллах PbI$_{2}$
М. С. Бродин, В. А. Бибик, И. В. Блонский, Н. А. Давыдова
|
403–408 |
|
|
Температурные зависимости квантового выхода электролюминесценции и деградационные процессы в NaCl
С. Г. Еханин, Н. С. Несмелов, Е. В. Нефедцев
|
409–412 |
|
|
Об анизотропии $f{-}d$-обмена в ортохромитах иттербия
Г. П. Воробьев, А. М. Кадомцева, А. А. Мухин, М. М. Лукина
|
413–421 |
|
|
Влияние микроструктуры на электрофизические характеристики Pb$_{5}$Ge$_{3}$O$_{11}$, полученного по стеклокерамической технологии
О. Ю. Малеваная, В. В. Михневич, С. Р. Сырцов, В. Н. Шут
|
422–427 |
|
|
Температура сверхпроводящего перехода многослойных структур. Плоская модель Изинга с фрустрацией
В. А. Черенков, В. Е. Гришин
|
428–432 |
|
|
Влияние случайных полей на спектры ЯМР орбитально вырожденных ионов в кубических магнетиках
М. А. Иванов, В. Я. Митрофанов, А. Я. Фишман, А. А. Шемяков
|
433–440 |
|
|
Экспериментальное исследование модификации закона дисперсии для спиновых волн в мультислойных пленках
Р. С. Исхаков, А. С. Чеканов, Л. А. Чеканова
|
441–447 |
|
|
Спектры отражения проводящих и сверхпроводящих органических кристаллов: $\alpha$-, $\beta$-(BEDT$-$TTF)$_{2}$I$_{3}$, $k$-(BEDT$-$TTF)$_{2}$Cu(SCN)$_{2}$ в области внутримолекулярных переходов
Р. М. Власова, С. Я. Приев, В. Н. Семкин, Э. Б. Ягубский, Л. С. Агроскин, В. К. Петров
|
448–455 |
|
|
Прозрачность одномерной системы с произвольным беспорядком в электрическом поле
В. М. Гаспарян, И. Х. Жарекешев
|
456–464 |
|
|
Особенности микроконтактных спектров гетероконтактов между простыми металлами
Ю. Г. Найдюк
|
465–469 |
|
|
О характере особенностей плотности электронных состояний и их влияние на модули упругости в щелочноземельных металлах
М. И. Кацнельсон, Г. В. Песчанских, А. В. Трефилов
|
470–479 |
|
|
Свойства импульсных голограмм в кристаллах типа BSO
А. Л. Хромов, М. П. Петров, А. А. Камшилин
|
480–487 |
|
|
Анизотропия рассеяния носителей заряда в твердых растворах Bi$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$ и Bi$_{2-y}$In$_{y}$Te$_{3}$
В. А. Кутасов, Л. Н. Лукьянова
|
488–492 |
|
|
Электронная теплопроводность сильно легированного селенида свинца
Х. Р. Майлина, Ю. А. Никулин, Л. В. Прокофьева, Ю. И. Равич
|
493–496 |
|
|
Структура и динамические характеристики доменных границ в магнетиках с неоднородной магнитной анизотропией
М. А. Шамсутдинов, В. Г. Веселаго, М. М. Фарзтдинов, Е. Г. Екомасов
|
497–502 |
|
|
О распределении поля в краевых магнитоплазменных колебаниях в 2$D$ канале гетероструктуры GaAs$-$AlGaAs
И. Е. Батов, В. И. Тальянский
|
503–508 |
|
|
Движение фронта фазового перехода при большом переохлаждении
А. З. Поташинский, М. В. Чертков
|
509–514 |
|
|
Нелинейный электроакустический эффект в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом
Н. К. Юшин, С. Н. Дороговцев, Г. Гулямов, С. И. Смирнов
|
515–520 |
|
|
Влияние упругих полей сферических стоков на их диффузионную скорость роста в ансамбле
В. В. Слезов, П. Н. Остапчук
|
521–527 |
|
|
К теории коэрцитивной силы «бездефектных» магнетиков
Б. А. Иванов, С. Н. Ляхимец
|
528–535 |
|
|
Поглощение света свободными носителями в бесщелевых полупроводниках (БП) I рода
А. Д. Маргулис, Вл. А. Маргулис
|
536–543 |
|
|
Электронное торможение дислокаций в тонкой пластине алюминия во внешнем магнитном поле
В. П. Лебедев, В. С. Крыловский
|
544–547 |
|
|
Оптическое исследование кинетики плавления кристаллического германия под действием наносекундных лазерных импульсов
М. Ю. Аверьянова, С. Ю. Карпов
|
548–558 |
|
|
Критические условия начала неоднородного вращения векторов намагниченности в пленках ферритов-гранатов
А. С. Логгинов, Г. А. Непокойчицкий, Т. Б. Розанова, М. П. Тихомирова
|
559–565 |
|
|
О купратных сверхпроводниках с электронным типом проводимости
М. В. Красинькова, Б. Я. Мойжес
|
566–569 |
|
|
Кинетика роста тонкой равновесной трещины с газовой примесью
В. А. Бородин, В. М. Маничев, А. И. Рязанов
|
570–578 |
|
|
О влиянии короткодействующих дефектов на кинетику распада метастабильного состояния линейной системы в плоском потенциальном рельефе
Б. В. Петухов
|
579–587 |
|
|
Расчет электронной структуры MgO, содержащего F$^{+}$ и F-центры
В. С. Степанюк, Б. Л. Григоренко, А. А. Кацнельсон, О. В. Фарберович, В. В. Михайлин
|
588–592 |
|
|
Электронная структура $V^{-}$-центра в MgO
А. В. Безель, В. А. Лобач
|
593–595 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Фотостимулированные изменения спектров комбинационного рассеяния света слоев As$_{x}$Se$_{100-x}$
В. И. Микла, А. А. Баганич, Н. Н. Мельник, Д. Г. Семак, Д. Н. Керечанин
|
596–598 |
|
|
Широкие полосы излучения при лазерном возбуждении кристаллов CdSe
А. С. Батырев, И. П. Калмыкова, А. Е. Чередниченко
|
598–602 |
|
|
О скорости движения торцевых доменных границ, возникающих в процессе импульсного перемагничивания пленок ферритов-гранатов
Димитр Йоргов, О. С. Колотов, В. А. Погожев
|
602–605 |
|
|
Природа дублета в излучении свободных биэкситонов в AgBr
М. С. Бродин, А. О. Гуща, А. И. Петропавловский, В. В. Тищенко
|
605–607 |
|
|
Многокомпонентная структура двухимпульсного эха в спиновых системах
В. С. Кузьмин, А. П. Сайко, Г. Г. Федорук
|
608–610 |
|
|
Электронное строение галлиевых гранатов R$_{3}$Ga$_{5}$O$_{12}$ (R = Nd, Sm, Gd)
Я. И. Дутчак, И. Д. Щерба, А. С. Шулаков, М. С. Ридош, А. П. Степанов, А. Е. Носенко
|
610–612 |
|
|
Молекулярная подвижность в твердом хлорбензоле
А. Д. Гордеев, А. П. Жуков, Г. Б. Сойфер
|
613–615 |
|
|
Рекомбинация квазичастиц в высокотемпературных сверхпроводниках
В. Н. Алфеев, Л. Н. Неустроев
|
616–617 |
|
|
Твердофазная кристаллизация аморфных пленок углерода
В. М. Кулинич, А. А. Сокол, В. М. Шулаев, Ю. Ф. Гузычко
|
618–619 |
|
|
Магнитное поведение керамики DyBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ при низких температурах
Г. Г. Левченко, В. И. Маркович, В. М. Свистунов, И. М. Фита
|
620–622 |
|
|
Оптические спектры и структура валентной зоны твердого раствора AgGaS$_{2(1-x)}$Se$_{2x}$
В. Ф. Агекян, Д. Раджаб, А. Ю. Серов
|
622–624 |
|
|
Суперионные проводники в системе Na$_{5}$FeP$_{2}$O$_{9}-$NaF
А. К. Иванов-Шиц, С. Е. Сигарев, В. А. Тимофеева
|
624–627 |
|
|
Релаксация экситонов в Pb$_{1-x}$Cd$_{x}$I$_{2}$ с варьируемой константой экситон-фононной связи
М. С. Бродин, И. В. Блонский, А. С. Крочук, Т. Л. Стецишин
|
627–629 |
|
|
Объемные фотопревращения в окрашенных кристаллах LiF
О. В. Колокольцев, И. Н. Халимонова
|
630–632 |
|
|
Двулучепреломление одноосно сжатых кристаллов AgGaS$_{2}$
Л. М. Сусликов, Ю. А. Хазитарханов, З. П. Гадьмаши, Д. Ш. Ковач, В. Ю. Сливка
|
632–634 |
|
|
Несимметричное расщепление экситонных состояний в полумагнитном полупроводнике Cd$_{1-x}$Mn$_{x}$S
С. И. Губарев, М. Г. Тяжлов
|
635–637 |
|
|
Влияние межзеренных границ на ослабление потока излучения в поликристаллах ZnSe
Б. М. Слепченко, В. В. Мусатов, А. Я. Аксеновских, А. Н. Брызгалов, Г. И. Романова
|
638–639 |
|
|
Квантовая диффузия водорода в гидридах переходных металлов
А. И. Морозов, А. С. Сигов
|
639–641 |
|
|
Сверхтонкая структура спектров ЭПР молекулярных кристаллов смешанной валентности
С. И. Клокишнер, Б. С. Цукерблат
|
642–645 |
|
|
Динамическое торможение винтовой дислокации точечными дефектами
В. В. Малашенко
|
645–647 |
|
|
Определение энергии активации доменных стенок методом сканирующей калориметрии
А. А. Аникьев, В. М. Бурлаков, С. А. Киселев, В. Н. Петухов
|
648–650 |
|
|
Выход фотоэлектронов при асимметричной дифракции рентгеновских лучей в скользящей Брэгг$-$Лауэ геометрии
А. М. Афанасьев, Р. М. Имамов, Э. Х. Мухамеджанов, А. В. Есаян, А. А. Бжеумихов
|
650–653 |
|
|
|
Поправка к статье Ю.В. Илисавского, Л.А. Кулаковой «Механизмы упругой релаксации в многокомпонентных фосфатных стеклах» (ФТТ. 1989. Т. 31. № 8. С. 153-157)
|
653 |
Обратная связь: