|
Учет интерференционных нулей пропускания в интегральных соотношениях для экситонных спектров кристалла CdSe С. Б. Московский, А. Б. Новиков, О. С. Омегов, Л. Е. Соловьев
|
657–662 |
|
Резонансы формы в $K$-спектрах поглощения плоских анионов атомов II периода в кристаллах С. В. Некипелов, В. Н. Акимов, А. С. Виноградов
|
663–667 |
|
Стабилизация поляризации и повышение трещиностойкости кристаллов триглицинсульфата радиационными дефектами Л. И. Донцова, М. Д. Катрич, Н. А. Тихомирова, И. И. Беспальцева, А. П. Окенко
|
668–674 |
|
Особенности затухания акустических волн в поликристаллическом ЖИГ А. Ф. Кабыченков, Г. Д. Мансфельд, В. Н. Нагирняк, А. А. Рубцов
|
675–680 |
|
Электрические и магнитные свойства твердых растворов натрия в лантановых манганитах Т. М. Перекалина, А. Я. Шапиро, И. Э. Липиньски, С. А. Черкезян
|
681–684 |
|
Влияние изоморфных точечных дефектов на характеристики излучения релятивистских электронов при каналировании С. А. Михеев
|
685–690 |
|
Аномалия теплопроводности вблизи точки фазового перехода II рода в одноосном сегнетоэлектрике Б. А. Струков, А. А. Белов, Е. Л. Соркин
|
691–697 |
|
Критические параметры литиевого интеркалята 2$H$-NbSe$_{2}$ В. А. Кульбачинский
|
698–701 |
|
О форме кривой импульсного перемагничивания пленок ферритов-гранатов Димитр Йоргов, О. С. Колотов, В. А. Погожев
|
702–706 |
|
Взаимодействие адсорбированных атомов бария на грани (112) монокристалла тантала В. К. Медведев, Т. П. Смерека, И. М. Убогий, Я. Б. Лозовый, Г. В. Бабкин
|
707–711 |
|
Сопутствующее мягкое рентгеновское излучение, возникающее при движении кэВ-электронов в твердом теле Ю. Д. Корнюшкин
|
712–718 |
|
Об изгибных колебаниях межфазных границ в кристаллах В. Н. Нечаев, А. М. Рощупкин
|
719–724 |
|
Спектроскопия внутрицентровых переходов и экситонов кристалла TlGaS$_{2}{-}$Nd$_{2}$S$_{3}$ С. З. Джафарова, Н. А. Рагимова, Г. И. Абуталыбов, Б. А. Натиг
|
725–729 |
|
Влияние заряда глубокого центра на оптические переходы в валентную зону II. Сравнение с экспериментом А. А. Пахомов, А. Ф. Полупанов, В. И. Галиев, Э. З. Имамов
|
730–734 |
|
Концентрационная зависимость оптических характеристик индуцированных холестериков Л. И. Загайнова, В. В. Данилов, Г. В. Климушева, А. Г. Ильин, Л. П. Яценко
|
735–740 |
|
Мессбауэровская спектроскопия атомно-разупорядоченных железо-палладиевых сплавов С. В. Придвижкин, Б. В. Рыженко, Ф. А. Сидоренко, П. В. Гельд
|
741–750 |
|
Прыжковая проводимость в кристаллах NaBi(MoO$_{4})_{2}$ К. А. Колесниченко, С. Ж. Коркин, А. Ю. Кудзин, Т. М. Столпакова, Ю. В. Гонтаренко
|
751–754 |
|
О возмущении зонной плотности состояний точечными дефектами с короткодействующим потенциалом И. И. Тальянский
|
755–762 |
|
О новой возможности определения сил трения, действующих на дислокацию на начальной стадии ее движения В. В. Зонинашвили, И. А. Наскидашвили, В. А. Мелик-Шахназаров
|
763–767 |
|
Точечные дефекты и коллективные взаимодействия в монокристаллах системы Ti$_{1-x}$V$_{x}$O$_{2}$ В. С. Грунин, И. Б. Патрина, М. В. Разумеенко, Н. П. Макеева
|
768–772 |
|
Ультрафиолетовая фотолюминесценция высокотемпературных сверхпроводников А. Н. Старухин, Г. В. Михайлов, А. Г. Панфилов, Г. Р. Позина, Б. С. Разбирин, П. П. Сырников, А. А. Буш
|
773–780 |
|
Исследование фотоструктурных превращений в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников методом фотоэлектронной спектроскопии А. В. Колобов, Ю. П. Костиков, С. С. Лантратова, В. М. Любин
|
781–785 |
|
Роль триплетного состояния $F_{2}$-центров в образовании $F_{2}^{-}$-центров Л. А. Лисицына, В. А. Кравченко, В. М. Рейтеров
|
786–790 |
|
Тепловая неомичность гальваномагнитных коэффициентов монокристаллов вольфрама в сильных магнитных полях А. Н. Черепанов, В. Е. Старцев, В. В. Марченков, К. Э. Егиазарян
|
791–797 |
|
Исследование возбуждения и затухания магнитоупругих колебаний в кристалле FeBO$_{3}$ с помощью дифракции нейтронов В. В. Квардаков, В. А. Соменков
|
798–801 |
|
Получение и исследование стеклокерамики германата свинца с ориентированными поверхностными слоями В. В. Михневич, В. Н. Шут, С. Р. Сырцов
|
802–806 |
|
Особенности термостимулированной генерации дислокаций в совершенных кристаллах антрацена Г. А. Сандул, М. Т. Шпак
|
807–811 |
|
Влияние интеркалирования атомами металлов на энергетический спектр Bi$_{2}$Te$_{3}$ В. А. Кульбачинский, С. А. Азоу, З. Д. Ковалюк, М. Н. Пырля, С. Я. Скипидаров
|
812–816 |
|
Об идентификации симметрии глубокого уровня по спектральной зависимости сечения фотоионизации А. А. Пахомов, Э. З. Имамов
|
817–819 |
|
Влияние всестороннего давления на межслоевое обменное взаимодействие и поля анизотропии кристалла (C$_{2}$H$_{5}$NH$_{3})_{2}$CuCl$_{4}$ В. Н. Васюков
|
820–823 |
|
Акустоэлектронное взаимодействие в сверхпроводящих пленках YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$ Ю. В. Илисавский, Э. З. Яхкинд, Е. К. Гольман, С. Ф. Карманенко
|
824–829 |
|
О фотопроводимости сверхрешеток Г. М. Шмелев, С. В. Крючков, Г. И. Цуркан
|
830–833 |
|
Рост включений новой фазы под облучением А. С. Абызов, В. В. Слезов, Л. В. Танатаров
|
834–839 |
|
Магнитоэлектрическое затухание низкочастотных спиновых волн в антиферромагнитном полупроводнике типа «легкая плоскость». Возможность черенковского усиления дрейфующими носителями заряда в EuTe М. И. Ауслендер, Л. Д. Фальковская
|
840–845 |
|
К теории эффекта катионного замещения в ионных проводниках В. Н. Бондарев, В. М. Жуков
|
846–853 |
|
Механизм локальной конфигурационной неустойчивости дефектов С. Б. Афанасьев, В. С. Вихнин
|
854–858 |
|
Кинетика распада экситонов, связанных на изоэлектронных ловушках в кремнии, облученном нейтронами А. С. Каминский, А. Н. Сафонов, Э. В. Лавров
|
859–867 |
|
Радиационное дефектообразование в пластически деформированном KBr А. Т. Акилбеков, Е. А. Васильченко, Е. Т. Сармуханов, К. Ш. Щункеев, А. А. Эланго
|
868–873 |
|
Поверхностная электронно-дырочная жидкость в германии В. М. Аснин, А. М. Крюков, И. И. Марков, В. И. Степанов
|
874–879 |
|
Определение энергий образования и миграции перегиба по данным о подвижности дислокации в InSb А. А. Жигалко
|
880–889 |
|
Влияние Ge на скорость прыжков донорных электронов в твердом растворе Si$-$Ge А. А. Бугай, В. М. Максименко, И. Н. Нурутдинова, Б. Д. Шанина, В. М. Бабич
|
890–895 |
|
Резонансы формы в рентгеновских спектрах поглощения кристалла гексагонального нитрида бора А. С. Виноградов, С. В. Некипелов, А. А. Павлычев
|
896–902 |
|
Влияние динамических характеристик примесных атомов на термическую стабильность аморфных сплавов А. Е. Волков, А. И. Рязанов, Г. Ф. Сырых
|
903–908 |
|
Диэлектрические свойства кристалла $\alpha$-KIO$_{3}\cdot$ HIO$_{3}$ в области сегнетоэлектрического фазового перехода Д. Ф. Байса, А. И. Барабаш, А. А. Строкач, А. И. Шанчук
|
909–914 |
|
Оптические самопульсации экситонов в полупроводниковых квантовых ямах А. И. Бобрышева, В. А. Залож, А. Х. Ротару
|
915–923 |
|
Угловая зависимость эмиссии фотонов при ионной бомбардировке кремния И. Н. Иванов, Д. В. Ледянкин, И. Ф. Уразгильдин, В. Е. Юрасова
|
924–928 |
|
Эффективная электронная корреляция и конформационные свойства оборванных связей Si : V$^{0}$ и Si : (VH$_{3})^{-}$ С. С. Моливер
|
929–937 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
Ультразвуковая релаксация при сбросообразовании в CsI А. М. Петченко, Д. Л. Строилова
|
938–940 |
|
Влияние фазового перехода в сенсибилизированном полимерном сегнетоэлектрике на спектр цианинового красителя К. А. Верховская
|
940–942 |
|
Делокализационная неустойчивость в антиферромагнитном полупроводнике EuTe в сильном электрическом поле В. В. Осипов, И. В. Кочев
|
942–943 |
|
Эффекты деформации фундаментального края дефектами в двухфотонной спектроскопии полупроводников Р. Балтрамеюнас, В. Гаврюшин, Г. Рачюкайтис, А. Казлаускас, В. Д. Рыжиков, Е. В. Марков, В. А. Теплицкий, М. А. Каменский, В. В. Смирнов
|
944–946 |
|
Двухчастотное импульсное возбуждение ЯКР $^{10}$B в буре В. С. Гречишкин, А. А. Шпилевой, Г. В. Мозжухин
|
947–949 |
|
Влияние локальных кулоновских полей на фазовый переход полупроводник$-$металл в пленках VO$_{2}$ Н. Л. Левшин, С. Ю. Поройков
|
949–951 |
|
Свечение, возникающее при электроосаждении ионов серебра на поверхность серебряного катода Б. И. Макшанцев, М. Б. Агранат, А. Я. Аксенов, А. Р. Исаакян, А. Д. Кудаков, Д. Е. Шумов
|
952–954 |
|
Динамика перемагничивания пленок феррит-гранатов со слабой одноосной анизотропией М. В. Логунов, В. В. Рандошкин
|
955–957 |
|
Высокая одноосная магнитная анизотропия в эпитаксиальных пленках (Dy, Bi)$_{3}$(Fe, Ga)$_{5}$O$_{12}$ В. В. Рандошкин, В. И. Чани, В. И. Козлов
|
957–959 |
|
Влияние примеси селена на диэлектрические свойства сульфата аммония А. П. Шамшин, Л. Н. Пелих, Э. В. Матюшкин
|
959–961 |
|
Биения вблизи резонансного оптического перехода Л. И. Магарилл, Э. М. Скок, С. А. Студеникин
|
962–963 |
|
Получение под высоким давлением и свойства ферримагнетика CuMnO$_3$ И. О. Троянчук, А. А. Шемяков, В. К. Прокопенко
|
964–965 |
|
Электронные состояния, образованные перегибом на 60$^{\circ}$ дислокации в кремнии С. В. Муштенко
|
965–967 |
|
Гигантское двухфононное резонансное комбинационное рассеяние света в квазидвумерной электронной системе в магнитном поле Л. И. Коровин, С. Т. Павлов, Б. Э. Эшпулатов
|
968–970 |
|
Делокализация зонной дырки в MgO В. А. Лобач, И. Р. Рубин
|
970–973 |
|
О роли вакансий в релаксации напряжений вокруг растущего включения новой фазы А. С. Абызов, В. В. Слезов, Л. В. Танатаров
|
973–975 |
|
ЭПР термически заселенных возбужденных состояний Er$^{3+}$ в гранатах Г. Р. Асатрян, П. Г. Баранов, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, А. М. Прохоров, В. А. Храмцов
|
976–979 |
|
Магнитный вклад в тепловое расширение зонных ферромагнетиков В. Г. Тиссен
|
979–981 |
|
Влияние стимуляции электрическим полем на оптические и фотоэлектрические свойства Bi$_{12}$SiO$_{20}$ А. Ю. Кудзин, Г. Х. Соколянский, А. С. Юдин
|
981–984 |
|
Влияние давления на магнитные свойства соединения Y$_{2}$Fe$_{17}$ С. А. Никитин, А. М. Тишин, Ю. И. Спичкин, П. И. Леонтьев, А. Ф. Островский
|
984–986 |
|
Время затухация экситон-фононной люминесценции в кристаллах LiH В. А. Пустоваров, Т. А. Бетенекова, Э. И. Зинин, А. Л. Рогалев
|
987–989 |
|
Акустическое преобразование в структуре МДП Э. П. Гаршка, К. Ю. Сакалаускас
|
989–991 |