|
Комбинационное рассеяние света в аморфных слоях As$_{x}$Se$_{100-x}$. Аномалия концетрационной зависимости В. И. Микла, А. А. Баганич, А. П. Соколов, Д. Г. Семак, А. П. Шебанин
|
2679–2685 |
|
Температура сверхпроводящего перехода многослойных сверхпроводников с ферромагнитной прослойкой. Фрустированная $XY$-модель Джозефсона В. А. Черенков
|
2686–2689 |
|
Дефектообразование в неметаллических кристаллах, вызванное неравновесными экситонами С. Е. Вавилов, В. Г. Левандовский, Г. Е. Чайка
|
2690–2693 |
|
Кинетика релаксации поглощения $F_{2}$-центров в кристаллах LiF при воздействии импульса радиации Л. А. Лисицына
|
2694–2705 |
|
Влияние немагнитного покрытия тонкой магнитной пленки на модуляционную неустойчивость безобменных спиновых волн С. В. Тарасенко
|
2706–2711 |
|
Спин-спиновое взаимодействие трехвалентных ионов церия в этилсульфате лантана под давлением И. М. Крыгин, А. Д. Прохоров
|
2712–2716 |
|
Электронографические и электронно-микроскопические исследования фазовых переходов в тонких пленках Ag$_{2}$CdI$_{4}$ И. М. Болеста, А. В. Футей
|
2717–2720 |
|
Оптические и магнитооптические свойства монокристаллов HgCr$_{2}$X$_{4}$ (X = S, Se) Р. Дагис, Г. Ю. Бабонас, С. И. Гребинский, Г. Пукинскас
|
2721–2727 |
|
Зарождение пластической деформации в гидростатически сжатых монокристаллах NaCl И. Ю. Прохоров, Г. Я. Акимов, А. В. Макиевский
|
2728–2734 |
|
Вычисление эффективных констант взаимодействия между BX$_{4}$-тетраэдрами в кристаллах типа K$_{2}$SO$_{4}$ Н. Г. Замкова, В. И. Зиненко
|
2735–2747 |
|
Влияние примесей и собственных дефектов на физико-механические свойства монокристаллов карбида кремния А. П. Гаршин, Е. А. Лавренова, Ю. А. Водаков, Е. Н. Мохов
|
2748–2752 |
|
Метод спиновых меток в кремнии: парные дефекты и центры внедрения с незаполненным кором С. М. Якубеня
|
2753–2757 |
|
Эффективная масса примеси в ферми-жидкости В. И. Мешакин, В. М. Осадчиев
|
2758–2765 |
|
Континуальный полярон сильной связи вблизи границы раздела диэлектрических фаз в электрическом и магнитном полях В. К. Мухоморов
|
2766–2779 |
|
Теплопроводность антимонидов галлия, индия и твердых растворов на их основе в зависимости от давления и температуры Я. Б. Магомедов, Н. Л. Крамынина, Ш. М. Исмаилов
|
2780–2784 |
|
Динамика решетки кристаллов LaTa$_{7}$O$_{19}$ В. Г. Мазуренко, М. Г. Зуев
|
2785–2788 |
|
Влияние стехиометрии магний$-$алюминиевой шпинели на возмоность локализации дырки Н. Миронова, В. Скворцова, А. Смирнов, У. Улманис
|
2789–2796 |
|
Доменный механизм возникновения хаоса в сегнетоэлектрических кристаллах ТГС С. Н. Дрождин, Л. Н. Камышева
|
2797–2803 |
|
Влияние беспорядка в кислородной подрешетке на спектры комбинационного рассеяния кристаллов YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$. Эксперимент и расчет М. В. Белоусов, И. В. Игнатьев, Н. В. Орехова, В. Ю. Давыдов
|
2804–2813 |
|
Электронный спектр дефектов с дельтаобразным потенциалом в тонких полупроводниковых пленках Э. Л. Нагаев
|
2814–2819 |
|
Дефекты с короткодействующим потенциалом в полупроводниках с тенденцией к автолокализации носителей заряда Э. Л. Нагаев
|
2820–2825 |
|
Влияние электрон-электронного взаимодействия на термоэдс примесного проводника А. В. Рапопорт
|
2826–2837 |
|
Особенности магнитного упорядочения в монокристаллах высшего силицида марганца с несоразмерной структурой Л. И. Винокурова, А. В. Власов, А. Э. Енгалычев, В. К. Зайцев, В. Ю. Иванов
|
2838–2843 |
|
Об энергетической релаксации электронов на фононах в тонких металлических пленках при низких температурах В. А. Шкловский
|
2844–2846 |
|
Структура центра CO$_{3}^{3-}$ в эмали зуба С. С. Ищенко, С. М. Окулов, И. П. Ворона, А. Б. Ройцин, А. А. Климов
|
2847–2850 |
|
Влияние формы образца на антиферромагнитный резонанс в CuCl$_{2}\cdot$2H$_{2}$O при опрокидывании магнитных подрешеток А. В. Олейник, П. И. Поляков, В. А. Попов
|
2851–2860 |
|
Численный анализ сателлитных отражений многослойных покрытий Co/Cu О. И. Касютич, В. М. Федосюк, Л. Н. Макутина, Г. В. Макутин
|
2861–2866 |
|
Критические индексы для кластеров молекул бензофенона в твердых растворах этанола и полиметилметакрилата С. А. Багнич, А. В. Дорохин, П. П. Першукевич
|
2867–2873 |
|
Электрострикция, диэлектрическая и пьезоэлектрическая нелинейность кристалла KDP А. М. Сысоев
|
2874–2881 |
|
Аннигиляция винтовых дислокаций поперечным скольжением как механизм динамического отдыха Г. А. Малыгин
|
2882–2892 |
|
Вторичная электронная эмиссия свинцово-силикатных стекол с точки зрения плазмонной теории эмиссии А. М. Тютиков, А. Л. Шахмин
|
2893–2898 |
|
Кристаллическое поле в гетеродесмических соединениях А. Г. Аванесов, В. В. Жорин, Б. З. Малкин, В. Ф. Писаренко
|
2899–2906 |
|
Моделирование спектров возбуждения кросс-люминесценции с учетом подвижности катионных дырок Н. Ю. Кирикова, В. Н. Махов
|
2907–2910 |
|
ЯМР $^{27}$Al в смешанных кристаллах Y$_{x}$Er$_{1-x}$AlO$_{3}$ Л. С. Воротилова, С. Н. Иванов, В. С. Касперович, Е. В. Чарная, Е. Н. Хазанов
|
2911–2914 |
|
О внутреннем трении и дефекте модуля Юнга в процессе деформирования кристаллов А. Б. Лебедев, С. Б. Кустов, Б. К. Кардашев
|
2915–2921 |
|
Электронный топологический переход в Li$-$Mg И. А. Абрикосов, Ю. Х. Векилов, П. А. Коржавый, А. В. Рубан, Л. Е. Шилькрот
|
2922–2926 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
Изоструктурный фазовый переход в полупроводниковой шпинели CdIn$_{2}$S$_{4}$ И. В. Кравецкий, Л. Л. Кулюк, Э. Е. Струмбан, В. М. Таланов, В. Е. Тэзлэван, Д. А. Шутов
|
2927–2930 |
|
Токовые состояния ВТСП кольца в конфигурации Ааронова$-$Бома А. И. Шелых, Е. К. Кудинов
|
2930–2933 |
|
Влияние ионного облучения на свойства туннельных контактов В. В. Крюк
|
2933–2935 |
|
Последовательность фазовых переходов в слоистом кристалле $\beta$-TlInS$_{2}$ Е. С. Крупников, Ф. Ю. Алиев, Р. Г. Оруджев
|
2935–2937 |
|
Модуль сдвига и коэффициент Пуассона Bi$_{1.6}$Pb$_{0.4}$Sr$_{2}$Ca$_{2.5}$Cu$_{3.5}$O$_{x}$ Е. С. Баланкина
|
2937–2939 |
|
Особенности электронного фазового перехода с изменением валентности Yb в YbInCu$_{4}$ М. Д. Котерлин, Б. С. Морохивский, Л. В. Сыса, Н. Г. Бабич, Н. И. Захаренко, Я. М. Калычак
|
2940–2942 |
|
Квантовые биения интенсивности синхротронного излучения, рассеянного на ядрах с модулированным сверхтонким взаимодействием Э. К. Садыков, Ю. А. Антонов
|
2943–2944 |
|
Теорема Пойнтинга в кристалле в области квадрупольного экситонного резонанса А. А. Демиденко, В. И. Пипа
|
2945–2947 |
|
Получение тонких ВТСП-пленок, допированных ионами металлов И. С. Бараш, А. С. Камзин, Л. М. Сапожникова, Л. А. Григорьев, А. Б. Шерман
|
2947–2950 |
|
Двухфононное резонансное комбинационное рассеяние света в квантовой яме в сильном магнитном поле при равенстве эффективных масс электронов и дырок Л. И. Коровин, С. Т. Павлов, Б. Э. Эшпулатов
|
2950–2953 |
|
Сжимаемость SmD$_{2}$ и DyD$_{2}$ при высоких давлениях И. Н. Гончаренко, В. П. Глазков, О. А. Лаврова, В. А. Соменков
|
2953–2955 |
|
Эффект заполнения второй подзоны в [100]-аккумулирующем электронном слое в оптически возбужденном кремнии П. Д. Алтухов, А. А. Бакун, А. А. Козлов
|
2955–2959 |
|
Магнитоупругие константы кобальта В. Ф. Таборов, В. Ф. Тарасов
|
2959–2961 |
|
Влияние гамма-облучения на диффузию серебра в керамике YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-y}$ С. Ф. Гафаров, Т. Д. Джафаров, Г. С. Куликов, Р. Ш. Малкович, Е. А. Скорятина, В. П. Усачева
|
2961–2964 |
|
Фазовые переходы в слоистом кристалле TlGaS$_{2}$ Е. С. Крупников, Г. И. Абуталыбов
|
2964–2966 |
|
Особенности спектров ИК-отражения PbTe(Ga) А. И. Белогорохов, С. А. Белоконь, И. И. Иванчик, Д. Р. Хохлов
|
2966–2968 |