|
|
2019, том 61, выпуск 12
|
 |
|
 |
|
Международная конференция ''Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок'' , посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В. В. Слезова (Сборник трудов) Санкт-Петербург, 1-5 июля 2019 г.
|
|
Международная конференция “Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок”, посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В.В. Слёзова
Л. Н. Давыдов, С. А. Кукушкин
|
2269–2273 |
|
Металлы
|
|
|
Вырожденная структура двойников превращения и оценка плотности дислокаций мартенситных кристаллов
М. П. Кащенко, Н. М. Кащенко, В. Г. Чащина
|
2274–2279 |
|
|
Preparation and formation mechanism of nano-Mg materials prepared by physical vapor deposition
Haiyan Su, Jingru Liu, H. Wang, X. Song
|
2280 |
|
|
Моделирование радиационно-индуцированной сегрегации в сплавах Fe–Cr–Ni
Р. В. Скороход, А. В. Коропов
|
2281–2288 |
|
Полупроводники
|
|
|
Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
А. М. Мизеров, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. Д. Буравлев
|
2289–2293 |
|
|
Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
С. Н. Тимошнев, А. М. Мизеров, Г. В. Бенеманская, С. А. Кукушкин, А. Д. Буравлев
|
2294–2297 |
|
|
Выращивание объёмных кристаллов AlN и GaN сублимационным сандвич-методом
Е. Н. Мохов, А. А. Вольфсон, О. П. Казарова
|
2298–2302 |
|
|
О скорости термомиграции жидких цилиндрических включений в кристалле в стационарных тепловых условиях
С. И. Гармашов
|
2303–2306 |
|
|
High resolution investigation on the NiAu ohmic contact to $p$-AlGaN|GaN heterostructure
Zheng-Fei Hu, Xiang-Yang Li, Yan Zhang
|
2307 |
|
|
Зависимость свойств вариативных градиентно-пористых структур кремния от метода формирования
К. И. Рубцова, М. Д. Силина
|
2308–2311 |
|
|
Effect of gamma irradiation on conductivity of Cd$_{1-x}$Fe$_{x}$Te
M. A. Mehrabova, H. R. Nuriyev, H. S. Orujov, N. H. Hasanov, T. I. Кеrimova, A. A. Abdullayeva, A. I. Kazimova
|
2312 |
|
|
Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов
А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов
|
2313–2315 |
|
|
Impact of elastic stress on crystal phase of GaP nanowires
N. V. Sibirev, Yu. S. Berdnikov, V. N. Sibirev
|
2316 |
|
|
Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3$C$-SiC
Л. М. Сорокин, М. Ю. Гуткин, А. В. Мясоедов, А. Е. Калмыков, В. Н. Бессолов, С. А. Кукушкин
|
2317–2321 |
|
|
Анизотропия роста и структура кристаллов линейных сопряженных олигомеров
В. А. Постников, М. С. Лясникова, А. А. Кулишов, Н. И. Сорокина, А. Э. Волошин, М. С. Скоротецкий, О. В. Борщев, С. А. Пономаренко
|
2322–2325 |
|
|
Formation of AgInS$_2$/ZnS colloidal nanocrystals and their photoluminescence properties
O. A. Korepanov, D. S. Mazing, O. A. Aleksandrova, V. A. Moshnikov, A. S. Komolov, E. F. Lazneva, D. A. Kirilenko
|
2326 |
|
|
Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$
Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, И. А. Александров, Н. В. Ржеуцкий, Е. В. Лебедок, Е. А. Разумец, К. С. Журавлев
|
2327–2332 |
|
|
GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography
S. N. Rodin, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevski
|
2333 |
|
|
Механизм диффузии монооксидов углерода и кремния в кристалле кубического карбида кремния
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов
|
2334–2337 |
|
|
Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si
С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов
|
2338–2343 |
|
|
Исследования термоэлектрических свойств сверхрешеток на основе силицида марганца и германия
М. В. Дорохин, Ю. М. Кузнецов, В. П. Лесников, А. В. Здоровейщев, П. Б. Дёмина, И. В. Ерофеева
|
2344–2348 |
|
|
Влияние твердофазной рекристаллизации с двойной имплантацией на плотность структурных дефектов в ультратонких слоях кремния на сапфире
С. Д. Федотов, В. Н. Стаценко, Н. Н. Егоров, С. А. Голубков
|
2349–2354 |
|
Диэлектрики
|
|
|
Кварцевое стекло, полученное на плазмотронах ОАО “Динур” из раменского песка: особенности кристаллизации на полированной поверхности
А. Ю. Колобов, Г. А. Сычева
|
2355–2358 |
|
|
Образование тонких пленок и малоразмерных монокристаллов из газовой фазы на поверхностях ионных кристаллов в условиях нагрева и электрического поля
Л. Г. Карыев, В. А. Федоров, А. В. Чиванов
|
2359–2362 |
|
|
Effective charge in LiNbO$_{3}$ films fabricated by radio-frequency magnetron sputtering method
M. Sumets, E. Belonogov, V. Dybov, D. Serikov, A. Kostyuchenko, V. Ievlev, G. Kotov
|
2363 |
|
Магнетизм
|
|
|
Глицин-нитратный синтез твердых растворов метатитаната бария-стронция
Д. Н. Белышева, О. Ю. Синельщикова, Н. Г. Тюрнина, З. Г. Тюрнина, С. И. Свиридов, А. В. Тумаркин, М. В. Злыгостов, В. Л. Уголков
|
2364–2368 |
|
Сегнетоэлектричество
|
|
|
Морфология поверхности, микроструктура и пьезоэлектрический отклик перовскитовых островков в тонких пленках цирконата-титаната свинца
И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов, С. В. Сенкевич, Д. А. Киселев, В. В. Осипов, В. П. Пронин
|
2369–2374 |
|
|
Протонпроводящие композиционные материалы на основе соединения Cs$_{6}$H(HSO$_{4}$)$_{3}$(H$_{2}$PO$_{4})_{4}$
В. А. Коморников, В. В. Гребенев, И. С. Тимаков, О. Б. Зайнуллин
|
2375–2378 |
|
|
Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия
О. Н. Сергеева, А. В. Солнышкин, Д. А. Киселев, Т. С. Ильина, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, Е. Ю. Каптелов, И. П. Пронин
|
2379–2384 |
|
Механические свойства, физика прочности и пластичность
|
|
|
Рост ограненных пор в кристалле по механизму Бартона–Кабреры–Франка
А. В. Редьков
|
2385–2389 |
|
Примесные центры
|
|
|
Теплопроводность монокристаллов твердых растворов на основе ZrO$_{2}$, солегированных оксидами скандия, церия и иттрия
М. А. Борик, А. В. Кулебякин, И. Е. Курицына, Е. Е. Ломонова, В. А. Мызина, П. А. Попов, Ф. О. Милович, Н. Ю. Табачкова
|
2390–2395 |
|
|
Выращивание и исследование сцинтилляционных свойств кристаллов BaBrI, активированных ионами самария
А. А. Шалаев, Р. Ю. Шендрик, А. И. Русаков, Ю. В. Сокольникова, А. С. Мясникова
|
2396–2399 |
|
|
Влияние неконтролируемых примесей на спектр поглощения лазерного кристалла NaGd(WO$_{4}$)$_{2}$
М. П. Зыкова, К. А. Субботин, С. К. Павлов, Д. А. Лис, Е. Чернова, Е. В. Жариков, И. Х. Аветисов
|
2400–2404 |
|
Оптические свойства
|
|
|
Исследование фазовых переходов в кристаллах (Cs,NH$_{4}$)$_{4}$(HSO$_{4})_{3}$(H$_{2}$PO$_{4}$)
Е. В. Селезнева, И. С. Тимаков, В. А. Коморников, В. В. Гребенев, О. Б. Зайнуллин, И. П. Макарова
|
2405–2407 |
|
|
Некоторые свойства монокристалла NiCl$_{2}$ $\cdot$ 6H$_{2}$O
О. Б. Зайнуллин, А. Э. Волошин, В. А. Коморников, В. Л. Маноменова, Е. Б. Руднева, И. С. Тимаков, С. И. Ковалев
|
2408–2410 |
|
Динамика решетки
|
|
|
Molecular dynamics simulations of Ti crystallization with solid–liquid configuration method
D. Peng, W. Fu, X. H. Yang
|
2411 |
|
Фазовые переходы
|
|
|
Нуклеация и рост зародышей новой фазы в гетерогенных реакциях
Н. М. Корценштейн
|
2412–2414 |
|
|
Моделирование нуклеации в бинарных сплавах на основе метода функционала плотности свободной энергии
П. Е. Львов, В. В. Светухин, С. В. Булярский
|
2415–2420 |
|
|
Феноменологические модели зарождения и роста металла на полупроводнике
Н. И. Плюснин
|
2421–2424 |
|
|
Determination of the crystallization temperature of mullite by luminescence spectra of europium and chromium ions
A. V. Igo
|
2425 |
|
|
Рост из растворов кристаллов новых линейных фенилен-оксазольных олигомеров с центральным бензотиадиазаольным фрагментом
А. А. Кулишов, В. А. Постников, М. С. Лясникова, В. В. Гребенев, М. С. Скоротецкий, О. В. Борщев, С. А. Пономаренко
|
2426–2429 |
|
|
On the probability-free mechanism of macroscopic irreversibility and microscopic foundation of thermodynamics
A. Yu. Zakharov
|
2430 |
|
|
The origin of phase transition and the usual evolutions of the unit-cell constants of the NASICON structures of the solid solution LiTi$_{2-x}$Ge$_{x}$(PO$_{4}$)$_{3}$
N. Bounar
|
2431 |
|
|
Термодинамическая модель зародышеобразования кристаллов $n$-терфенила с анизотропией поверхностной энергии на межфазной границе жидкость–воздух
В. А. Постников, А. А. Кулишов, А. А. Островская, А. С. Степко, П. В. Лебедев-Степанов
|
2432–2435 |
|
Системы низкой размерности
|
|
|
Aromatic-like carbon nanostructures created on the vicinal SiC surfaces
G. V. Benemanskaya, S. A. Kukushkin, S. N. Timoshnev
|
2436 |
|
|
Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
А. А. Корякин, Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский
|
2437–2441 |
|
Физика поверхности, тонкие пленки
|
|
|
Кристаллизация слоев в гетероструктурах PZT/LNO/Si
А. В. Атанова, О. М. Жигалина, Д. Н. Хмеленин, Д. С. Серегин, К. А. Воротилов
|
2442–2445 |
|
|
Impurity effects on nucleation and growth of SiC clusters and layers on Si(100) and Si(111)
J. Pezoldt, M. N. Lubov, V. S. Kharlamov
|
2446 |
|
|
Низкотемпературный синтез нанокристаллов $\alpha$-SiC
К. Х. Нусупов, Н. Б. Бейсенханов, Д. И. Бакранова, С. Кейнбай, А. А. Турахун, А. А. Султан
|
2447–2453 |
|
|
Ионно-пучковые и рентгеновские методы элементной диагностики тонкопленочных покрытий
В. К. Егоров, Е. В. Егоров, М. С. Афанасьев
|
2454–2460 |
|
Полимеры
|
|
|
Relationship of Mg$_{2}$Si phase-content and thermal expansion properties of Mg–Si and Mg–Si–Ca alloys
S. Wu, T. Guo, P. An, X. Zhou, S. Lü
|
2461 |
|
|
Металлы
|
|
|
Метастабильные дисперсные состояния, возникающие при распаде трехкомпонентного сплава
И. К. Разумова, Ю. Н. Горностырев
|
2462–2470 |
|
|
Структурные, магнитные и тепловые свойства соединения Tb$_{0.8}$Sm$_{0.2}$Fe$_{2}$ cо структурой фаз Лавеса
Т. А. Алероева, И. С. Терешина, Т. П. Каминская, З. С. Умхаева, А. В. Филимонов, П. Ю. Ванина, О. А. Алексеева, А. С. Илюшин
|
2471–2476 |
|
|
Влияние дополнительной интенсивной пластической деформации при повышенных температурах на микроструктуру и функциональные свойства ультрамелкозернистого сплава Al–0.4Zr
Т. С. Орлова, Т. А. Латынина, М. Ю. Мурашкин, В. У. Казыханов
|
2477–2487 |
|
|
Полупроводники
|
|
|
Особенности формирования электронной структуры при синтезе соединений Ti$_{2}$AlC, Ti$_{2}$AlN, Ti$_{2}$SiC и Ti$_{2}$SiN
В. Г. Заводинский, О. А. Горкуша
|
2488–2492 |
|
|
Магнетизм
|
|
|
Влияние внешних воздействий на магнетизм флуктуирующих низкоразмерных электронных и спиновых корреляций в фрустрированных манганитах La$_{1-y}$Sm$_{y}$MnO$_{3+\delta}$ ($y$ = 0.85, 1.0)
Ф. Н. Буханько, А. Ф. Буханько
|
2493–2502 |
|
|
Магнитные свойства нанокристаллов Bi$_{1-x}$Ca$_{x}$FeO$_{3-\delta}$
Н. А. Ломанова, М. В. Томкович, А. В. Осипов, В. В. Панчук, В. Г. Семенов, И. В. Плешаков, М. П. Волков, В. В. Гусаров
|
2503–2509 |
|
|
Сегнетоэлектричество
|
|
|
Флексокалорический эффект в тонких пластинах титаната бария и титаната стронция
А. С. Старков, И. А. Старков
|
2510–2514 |
|
|
Фазовые переходы
|
|
|
Синтез квазикристаллических порошков и покрытий методом вакуумного плазменно-дугового испарения
А. В. Ушаков, И. В. Карпов, Л. Ю. Федоров, А. А. Шайхадинов, В. Г. Демин, А. И. Демченко, Е. А. Гончарова, Г. М. Зеер
|
2515–2520 |
|
|
Системы низкой размерности
|
|
|
Цепочки карбин-карбинофуллеренов C–C$_{20}$
Л. А. Опенов, А. И. Подливаев
|
2521–2527 |
|
|
Физика поверхности, тонкие пленки
|
|
|
Наноразмерные флуктуации потенциала в SiO$_{x}$, синтезированном плазмохимическим осаждением
Т. В. Перевалов, В. А. Володин, Ю. Н. Новиков, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, И. П. Просвирин
|
2528–2535 |
|
|
Обратная связь: