|
|
2021, том 63, выпуск 6
|
 |
|
 |
|
Металлы
|
|
Влияние внешних факторов на ширину линии ферромагнитного резонанса в структурах с обменным смещением
И. О. Джунь, Г. В. Бабайцев, М. Г. Козин, И. Л. Ромашкина, Е. И. Шанова, Н. Г. Чеченин
|
693–699 |
|
|
Электронная структура и оптические спектры соединений GdFeAl и GdFeSi
Ю. В. Князев, А. В. Лукоянов, Ю. И. Кузьмин, А. Г. Кучин, С. П. Платонов
|
700–705 |
|
|
Электронная структура графена на карбиде кремния, интеркалированного атомами кремния и кобальта
С. М. Дунаевский, Е. Ю. Лобанова, Е. К. Михайленко, И. И. Пронин
|
706–711 |
|
|
Сверхпроводимость
|
|
|
О магнитометрическом определении концентрации радиационных дефектов в сверхпроводящей пленке GdBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$
А. И. Подливаев, И. А. Руднев
|
712–720 |
|
|
Полупроводники
|
|
|
Электрофизические свойства поликристаллических пленок BiFe$_{0.95}$Co$_{0.05}$O$_{3}$
О. Б. Романова, В. В. Кретинин, С. С. Аплеснин, М. Н. Ситников, Л. В. Удод, К. И. Янушкевич
|
721–728 |
|
|
High-pressure Si phases and the mutual orientation of their structures. HRTEM studies
T. Gordeeva, B. Kulnitskiy, M. Popov, D. Ovsyannikov, V. Blank
|
729 |
|
|
Диэлектрики
|
|
|
Радиометрический метод контроля токов утечки в диэлектриках
Г. Ю. Сотникова, Г. А. Гаврилов, К. Л. Муратиков, Р. С. Пассет, Е. П. Смирнова
|
730–734 |
|
|
Распределение кислородных вакансий во внешнем электрическом поле и кислородная проводимость в акцепторно допированных ионных проводниках флюоритной структуры
М. З. Урицкий
|
735–739 |
|
|
Анализ структуры композиционных систем с использованием фрактальных характеристик на примере системы BaTiO$_{3}$-фуллеренол-ЦЭПС
А. Г. Чекуряев, М. М. Сычев, С. В. Мякин
|
740–746 |
|
|
Effect of sodium iodide dopant concentration on the electrical behavior of AgPO$_3$ glassy networks
A. Shaheen, S. Qabajeh, Z. Khattari, J. Al-Jundi, A. Aqili, F. Salman
|
747 |
|
|
Магнетизм
|
|
|
Амплитудные зависимости диэлектрических потерь в тонкопленочном наногранулированном композите $(x)$Ni–$(1-x)$PZT
А. В. Калгин, И. Ю. Кобяков
|
748–753 |
|
|
Синтез, структурные и магнитные свойства NaNiFe$_{2}$(VO$_{4}$)$_{3}$
Т. В. Дрокина, Д. А. Великанов, О. А. Баюков, М. С. Молокеев, Г. А. Петраковский
|
754–762 |
|
|
Сегнетоэлектричество
|
|
|
Влияние мультиплетных уровней Sm$^{3+}$ и Eu$^{3+}$ на теплоемкость мультиферроика BiFeO$_{3}$
Р. Г. Митаров, С. Н. Каллаев, З. М. Омаров, О. М. Назарова, Л. А. Резниченко
|
763–766 |
|
|
Диэлектрические и тепловые свойства KNO$_{3}$, внедренного в углеродные нанотрубки
А. Ю. Милинский, С. В. Барышников, Е. В. Стукова, Е. В. Чарная, И. А. Чернечкин, Н. И. Ускова
|
767–771 |
|
|
Электрические взаимодействия в смесях сегнетоэлектрических порошков хлорида диизопропиламмония и титаната свинца
С. В. Барышников, А. Ю. Милинский
|
772–775 |
|
|
Диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства тонких гетероэпитаксиальных пленок SBN-50
А. В. Павленко, Д. А. Киселев, Я. Ю. Матяш
|
776–782 |
|
|
Механические свойства, физика прочности и пластичность
|
|
|
О локальных полях напряжений в гетерогенных средах, определяемых по параметрам акустической эмиссии
В. Л. Гиляров, Е. Е. Дамаскинская
|
783–787 |
|
|
Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$/$\alpha$-Al$_{2}$O$_{3}$ при образовании дислокаций несоответствия
А. М. Смирнов, А. В. Кремлева, Ш. Ш. Шарофидинов, В. Е. Бугров, А. Е. Романов
|
788–795 |
|
|
Оптические свойства
|
|
|
Tuning emission spectrum of KSrPO$_4$:Eu$^{2+}$ phosphor by co-doping with Y$^{3+}$
X. Geng, L. Wang, Q. Shi, K. V. Ivanovskikh, H. Guo, C. Cui, P. Huang
|
796 |
|
|
Динамика решетки
|
|
|
Структура и динамика решетки тетрагональных германатов $R_{2}$Ge$_{2}$O$_{7}$ ($R$ = Tb–Lu, Y): ab initio расчет
В. С. Рюмшин, В. А. Чернышев
|
797–806 |
|
|
Системы низкой размерности
|
|
|
Нанокомпозиты оксид графена/оксид железа (GrO/FeOx) для биомедицины: синтез и исследования
А. С. Камзин, I. M. Obaidat, В. С. Козлов, Е. В. Воронина, V. Narayanaswamy, I. A. Al-Omari
|
807–816 |
|
|
О контакте двумерного переходного металла с графеноподобным соединением
С. Ю. Давыдов
|
817–822 |
|
|
Обратная связь: