|
|
2005, том 81, выпуск 8
|
|
|
|
|
ПОЛЯ, ЧАСТИЦЫ, ЯДРА
|
|
Simplicial vs. continuum string theory and loop equations E. T. Akhmedov
|
445–448 |
|
Hunting for the alpha: $B\to\rho\rho$, $B\to\pi\pi$, $B\to\pi\rho$ G. G. Ovanesyan, M. I. Vysotsky
|
449–452 |
|
Поиск солнечных аксионов, излучаемых при $M1$-переходе ядер $^7$Li$^*$ А. В. Дербин, А. И. Егоров, И. А. Митропольский, В. Н. Муратова
|
453–458 |
|
|
АТОМЫ, СПЕКТРЫ, ИЗЛУЧЕНИЯ
|
|
Определение электронно-колебательно-вращательных термов двухатомной молекулы по экспериментальным данным о волновых числах спектральных линий Б. П. Лавров, М. С. Рязанов
|
459–463 |
|
Топологический отклик неоднородных эллиптически поляризованных световых полей на управляемые анизотропные возмущения Р. И. Егоров, В. Г. Денисенко, М. С. Соскин
|
464–467 |
|
|
ПЛАЗМА, ГАЗЫ
|
|
Исследование зоны энерговыделения потока тяжелых ионов в наноматериалах методами рентгеновской спектроскопии многозарядных ионов В. П. Ефремов, С. А. Пикуз, А. Я. Фаенов, О. Розмей, И. Ю. Скобелев, А. В. Шутов, Д. Х. Х. Хоффманн, В. Е. Фортов
|
468–473 |
|
|
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
|
|
Неустойчивость междоузельных дислокационных петель в диэлектриках под электронным облучением A. B. Рязанов, А. В. Клапцов
|
474–477 |
|
Исследование магнитных свойств и спиновой кинетики слабодопированных купратов на основе скирмионного подхода С. И. Белов, А. Д. Инеев, Б. И. Кочелаев
|
478–480 |
|
О природе акустического механизма образования доменов в холестерическом жидком кристалле О. А. Капустина
|
481–485 |
|
Anisotropic low-temperature in-plane magnetoresistance in electron doped Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+\delta}$ A. I. Ponomarev, L. D. Sabirzyanova, A. A. Ivanov, A. S. Moskvin, Yu. D. Panov
|
486–491 |
|
ЭПР в аморфной пленке Gd$_{0.14}$Si$_{0.86}$ – режим узкого горла С. В. Гуденко
|
492–497 |
|
Отрицательное магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа в нелинейном режиме А. А. Быков, А. К. Калагин, А. К. Бакаров
|
498–501 |
|
Немонотонная температурная зависимость холловского сопротивления 2D системы электронов в Si А. В. Кунцевич, Д. А. Князев, В. И. Козуб, В. М. Пудалов, Г. Брунтхалер, Г. Бауер
|
502–506 |
|
|