|
|
2008, том 87, выпуск 3
|
|
|
|
|
ПОЛЯ, ЧАСТИЦЫ, ЯДРА
|
|
Di-pion emission in heavy quarkonia decays Yu. A. Simonov
|
147–149 |
|
|
АТОМЫ, СПЕКТРЫ, ИЗЛУЧЕНИЯ
|
|
Генерация “гигантских” импульсов рассеянного излучения на движущемся фронте волны накачки В. Р. Барышев, Н. С. Гинзбург, И. В. Зотова, А. С. Сергеев
|
150–153 |
|
Влияние сдвига Блоха–Зигерта на амплитудно-частотные характеристики осцилляций Раби при нутационном резонансе А. П. Сайко, Г. Г. Федорук
|
154–158 |
|
Enhanced Raman scattering provided by fullerene nanoclusters B. S. Razbirin, E. F. Sheka, A. N. Starukhin, D. K. Nelson, P. A. Troshin, R. N. Lyubovskay
|
159–165 |
|
|
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
|
|
Non-local electron transport and cross-resistance peak in NSN heterostructures M. S. Kalenkov, A. D. Zaikin
|
166–169 |
|
Барьерные $D^-$ комплексы в высокоподвижной двумерной электронной системе А. Б. Ваньков, Л. В. Кулик, И. В. Кукушкин, А. С. Журавлев, В. Е. Кирпичев
|
170–175 |
|
Блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, А. А. Шевырин, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов
|
176–180 |
|
Влияние дополнительного возмущения на динамическую бистабильность в тонких магнитных пленках А. М. Шутый
|
181–186 |
|
Фотогальванический эффект в ферромагнетиках с некомпланарным распределением намагниченности А. А. Фраерман, О. Г. Удалов
|
187–191 |
|
Магнитные свойства квантовых ям $\mathrm{GaAs}/\delta\langle\mathrm{Mn}\rangle/\mathrm{GaAs}/\mathrm{In}_x\mathrm{Ga}_{1-x}\mathrm{As}/\mathrm{GaAs}$ Б. А. Аронзон, А. С. Лагутин, В. В. Рыльков, В. В. Тугушев, В. Н. Меньшов, А. В. Лейскул, Р. Лайхо, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков
|
192–198 |
|
О зависимости параметра псевдощели от волнового вектора в ВТСП М. В. Еремин, В. В. Игламов
|
199–203 |
|
Изменение знака магнеторезистивного эффекта в бислойных структурах сверхпроводник/ферромагнетик при смене типа доменной структуры в ферромагнетике А. Ю. Русанов, Т. Е. Голикова, С. В. Егоров
|
204–209 |
|
|
ДИСКУССИЯ
|
|
О возможностях мазерного циклотронного охлаждения В. В. Пархомчук
|
210 |
|
Ответ Л. И. Меньшикова Л. И. Меньшиков
|
211 |
|
|