|
Теоретическая и математическая физика
|
|
Влияние крутых изгибов градиентных волноводов на модовый состав
излучения
Г. Л. Есаян, С. Г. Кривошлыков, И. Н. Сисакян
|
1–8 |
|
|
Концентрация электронов в СВЧ плазмотроне с внешним магнитным полем
Ю. В. Гуляев, И. Д. Черкасов, Р. К. Яфаров
|
9–17 |
|
|
Процессы в электронной оболочке при делении ядер тяжелых элементов
А. З. Девдариани, А. Л. Загребин
|
18–27 |
|
|
${}^{2}P$-резонанс в сечении упругого рассеяния электронов на атоме
кальция
М. Я. Амусья, В. А. Соснивкер
|
28–32 |
|
|
Оже-переходы на $2p\pi$-орбиталь в квазимолекуле
$\text{Ne}{-}\text{Ne}^{+}$
Л. М. Кишиневский, Б. Г. Краков, Э. С. Парилис
|
33–39 |
|
|
Пространственные корреляции локализованных носителей заряда при
туннельной рекомбинации
С. Н. Тараскин
|
40–46 |
|
|
Особенности преобразования электромагнитной волны нестационарно
движущейся границей раздела сред
А. Г. Нерух
|
47–53 |
|
|
Теоретическое исследование структуры электростатических полей
в ионных кристаллах в случае планарного каналирования электрона (позитрона)
А. С. Геворкян, Н. Н. Корхмазян, Г. Г. Меликян
|
54–61 |
|
|
Гидродинамически ланжевеновский подход в теории турбулентности
Г. Е. Скворцов
|
62–69 |
|
|
Твердотельная электроника
|
|
|
Ионная имплантация пленок железоиттриевого граната и ее влияние на
распространение поверхностных магнитостатических волн
И. Г. Кудряшкин, Д. Г. Крутогин, Е. А. Ладыгин, Л. М. Летюк, А. В. Маряхин, Б. П. Нам, А. С. Хе, Ю. К. Фетисов
|
70–77 |
|
|
Исследование коэффициентов отражения многослойных титан-кремниевых
рентгеновских зеркал при нормальном падении
С. С. Борисова, И. В. Кожевников, В. В. Кондратенко, В. Е. Левашов, И. И. Ляховская, И. Ф. Михайлов, А. Г. Пономаренко, С. И. Сагитов, А. И. Федоренко, В. А. Чирков, А. С. Шулаков
|
78–83 |
|
|
Оптика, квантовая электроника
|
|
|
Экспериментальное определение допплеровского смещения линий водорода
на пучках ионов H$^{+}_{2}$ в диапазоне энергий $150{-}2000$ кэВ
Л. А. Победоносцев, Я. М. Крамаровский, П. Ф. Паршин, Б. К. Селезнев, А. Б. Березин
|
84–89 |
|
|
Нестационарный оптогальванический эффект в тлеющем разряде с полым
катодом при пространственном разрешении
Г. Ю. Григорьев, А. В. Елецкий, Ю. Н. Зайцев, В. Д. Климов, О. А. Кушлянский, М. Я. Минаков, А. М. Мосолов
|
90–98 |
|
|
Роль электрического поля объемного заряда в процессе преобразования
энергии СЭП в ионных кристаллах
В. Ф. Штанько, В. И. Олешко
|
99–105 |
|
|
Электронные и ионные пучки, ускорители
|
|
|
Радиально-фазовое движение в накопителях заряженных частиц
И. Н. Мондрус
|
106–113 |
|
|
Оптимизация входа в спиральный ондулятор
В. К. Семенов
|
114–125 |
|
|
Линейная теория эффекта канализации излучения ленточным
релятивистским электронным пучком в лазере на свободных электронах
Н. С. Гинзбург, А. С. Сергеев
|
126–134 |
|
|
Моделирование процессов взаимодействия в электронных СВЧ генераторах
с тянущим электрическим полем, используемых в качестве источника питания
двухпучковых ускорителей
Н. С. Гинзбург, Л. С. Сергеев, А. В. Сморгонский
|
135–144 |
|
|
Об автомодуляции сильноточных пучков
В. Ф. Тырнов
|
145–151 |
|
|
Адиабатическая самосогласованная модель ускорения заряженных частиц
вдоль фронта электростатической волны в поперечном магнитном поле
М. И. Ситнов
|
152–160 |
|
|
Черенковское взаимодействие трубчатого электронного пучка
с диэлектрическим волноводом. I. Линейная теория
Н. И. Карбушев, А. С. Шлапаковский
|
161–168 |
|
|
Приборы и методы эксперимента
|
|
|
Иерархия низкотемпературных дислокационных пиков внутреннего трения
в нитевидных кристаллах полупроводников
С. А. Антипов, А. И. Дрожжин, И. В. Мишин, А. М. Рощупкин
|
169–177 |
|
|
Переходные слои в гетероструктурах
AlGaAs/GaAs, выращиваемых путем контактной смены растворов
Ю. Б. Болховитянов, Л. М. Логвинский, Н. С. Рудая
|
178–185 |
|
|
Влияние давления воздуха на параметры рентгеновского излучения при
адгезионном и когезионном разрушении твердых тел
В. А. Клюев, Ю. П. Топоров, А. Д. Алиев, А. Е. Чалых, А. Г. Липсон
|
186–191 |
|
|
Изучение кавитационной эрозии методом корреляционной голографической
интерферометрии
А. П. Дмитриев, Г. В. Дрейден, А. В. Осинцев, Ю. И. Островский, В. П. Щепинов, М. П. Этинберг, В. В. Яковлев
|
192–197 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Исследование керамики
YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ методом ВИМС
Л. С. Палатник, Ю. А. Климовский
|
198–202 |
|
|
Квантово-размерный эффект Штарка в микрокристаллах полупроводников
А. И. Екимов, А. П. Скворцов, Т. В. Шубина, С. К. Шумилов, Ал. Л. Эфрос
|
202–204 |
|
|
Каналирование релятивистских ядер в изогнутом кристалле
Н. А. Кудряшов, С. В. Петровский, М. Н. Стриханов
|
205–207 |
|
|
Влияние кластеров на процессы в структуре электронный
поток–поверхность
О. Ю. Цыбин
|
208–209 |
|
|
Влияние полярности напряжения на электрофизические процессы
в структуре кремний–двуокись кремния–жидкий кристалл
Г. Е. Невская, И. В. Тихомиров
|
210–212 |
|
|
Электрооптический модулятор типа интерферометра Маха$-$Цендера на Ti : LiTaO$_{3}$
Р. Римейка, Д. Чиплис, А. Домаркас
|
212–213 |
|
|
О возможности управления дисперсионными характеристиками движения
частиц в ондуляторе
А. С. Артамонов, Я. С. Дербенев, Н. И. Иноземцев
|
214–216 |
Обратная связь: