|
Газы и жидкости
|
|
Расчетное исследование накачки газовой среды заряженными
частицами — продуктами ядерных реакций
М. Г. Анучин, К. Ф. Гребенкин, Я. З. Кандиев, Е. И. Черепанова
|
3–8 |
|
|
К вопросу нарушения фазовой однородности в жидких диэлектриках
под действием импульсного напряжения
Е. В. Кривицкий
|
9–13 |
|
|
Эволюция грубодисперсного аэрозоля, перемешиваемого в замкнутом
объеме
Н. Н. Белов
|
14–19 |
|
|
Механизмы проявления эмульсионных микрокристаллов как проявление
тьюринговой неустойчивости
В. Д. Русов
|
20–26 |
|
|
Кинетика двухкомпонентной нуклеации
А. А. Мелихов, В. Б. Курасов, Ю. Ш. Джикаев, Ф. М. Куни
|
27–34 |
|
|
Газовый разряд, плазма
|
|
|
Выбор оптимальных режимов пучково-плазменного разряда
А. П. Овчинников, А. А. Теврюков, Г. Н. Фрейберг
|
35–39 |
|
|
Обрывы тока в импульсном разряде низкого давления, инициируемом путом
принудительного зажигания катодного пятна
А. В. Болотов, А. В. Козырев, А. В. Колесников, Ю. Д. Королев, В. Г. Работкин, И. А. Шемякин
|
40–46 |
|
|
Рассеяние света на сгустках плазмы оптического пробоя в газе
и прозрачном диэлектрике
Н. Н. Белов
|
47–50 |
|
|
Физика твердого тела
|
|
|
Электретный эффект в композитах на основе титаната кальция
Е. М. Панченко, Ю. И. Гольцов, В. А. Загоруйко, А. С. Богатин, Ю. А. Трусов
|
51–54 |
|
|
Нелинейный тензор магнитной проницаемости для дипольно-обменных
спиновых волн в ферромагнитной пленке
А. А. Сташкевич
|
55–62 |
|
|
Асимметрия угловой зависимости излучения при резонансном
деканалировании в сверхрешетках
|
63–67 |
|
|
Волна ионизации в диэлектрике
В. В. Катин, Ю. В. Мартыненко, Ю. Н. Явлинский
|
68–72 |
|
|
Оценка стационарного радиационного распухания двухфазного материала
Ю. В. Трушин
|
73–78 |
|
|
Полупроводниковая электроника
|
|
|
Гибкие полые волноводы для среднего ИК диапазона
В. Г. Артюшенко, К. И. Калайджян, М. М. Миракян
|
79–85 |
|
|
Полевые зависимости коэффициента инверсии в парамагнитных мазерах
и фазерах с нелинейными (бистабильными) резонаторами накачки
Д. Н. Маковецкий, К. В. Ворсуль
|
86–90 |
|
|
Интегральные фотоэлектрические свойства тонкопленочных систем на
основе фоточувствительного проводника и электрохромного материала
М. П. Стиканс, Ю. Я. Пуранс, Я. К. Клявинь
|
91–96 |
|
|
Оптика
|
|
|
Особенности ассоциативного опознавания объектов, зарегистрированных
на псевдоглубокой голограмме
Ю. Н. Денисюк, Н. М. Ганжерли
|
97–103 |
|
|
Дифракция света на ультразвуковом поле с неоднородным
амплитудно-фазовым распределением в анизотропной среде
С. Н. Шарангович
|
104–110 |
|
|
Постполимеризационное самоусиление голограмм на фотополимеризующемся
композите ФПК-488
Э. С. Гюльназаров, Т. Н. Смирнова, Е. А. Тихонов
|
111–117 |
|
|
Радиофизика
|
|
|
Амплитудно-фазовые характеристики МСВ линии при высоких уровнях
сигнала
А. Н. Мясоедов, А. В. Маряхин, Б. П. Нам, Ю. К. Фетисов
|
118–123 |
|
|
Пучки, ускорители
|
|
|
Формирование винтовых РЭП в системе с периодическим ондуляторным
и слабонеоднородным продольным магнитными полями
Н. С. Гинзбург, Н. Ю. Песков, М. Д. Токман
|
124–132 |
|
|
Эмиссия микрокапель при воздействии на жидкий металл интенсивного
ионного пучка
М. Д. Габович, В. А. Хомич
|
133–136 |
|
|
Ионно-оптические свойства фильтров Вина с неоднородными полями
Ю. К. Голиков, А. А. Матышев, К. В. Соловьев
|
137–143 |
|
|
Ионная оптика малогабаритных масс-анализаторов с круглыми полюсами
магнита
Л. Г. Гликман, С. П. Карецкая, В. М. Кельман
|
144–148 |
|
|
Лазерная диагностика нерелятивистских электронных пучков
Б. Г. Цикин, Л. Е. Долотов, О. В. Зюрюкина, А. П. Соловьев
|
149–154 |
|
|
Поверхность
|
|
|
Потенциалы взаимодействия многоатомных ионов с поверхностью металла
в электрических полях
Н. М. Блашенков, Г. Я. Лаврентьев
|
155–160 |
|
|
О возможности определения энергии сцепления молекул ХЖК
с ориентирующей поверхностью с помощью светоиндуцированных примесей
И. П. Пинкевич, В. Ю. Решетняк
|
161–167 |
|
|
Приборы и техника эксперимента
|
|
|
Брэгговские поляризационные расщепители света на основе
кристалла TeO$_{2}$
С. Н. Антонов, В. М. Котов, В. Н. Сотников
|
168–173 |
|
|
Измерение температуры поверхности подложки in situ при МПЭ GaAs (001)
с применением ДОБЭ
В. Г. Антипов, С. А. Никишин, В. Н. Светлов, Д. В. Синявский, В. А. Спиренков
|
174–178 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Ускорение диффузии ионноимплантированной примеси при больших дозах
Ю. В. Мартыненко, П. Г. Московкин
|
179–180 |
|
|
Параметрическая неустойчивость криволинейного потока электронов,
обусловленная собственным магнитостатическим полем
А. Б. Драганов, Н. Я. Коцаренко, А. А. Силивра
|
181–183 |
|
|
Новая формула для фактора обратного рассеяния в оже-спектроскопии
М. Ю. Барбашов, В. А. Горелик
|
183–185 |
|
|
Многократное рассеяние быстрых заряженных частиц, движущихся
в кристалле вблизи кристаллографической оси
А. А. Гриненко, Н. Н. Насонов, В. Д. Цуканов
|
185–187 |
|
|
Вольт-амперные характеристики ячейки плоского диода с катодом в виде
ряда нитей
М. А. Аброян, А. Д. Сусаров, Г. И. Трубников
|
188–190 |
|
|
Затопленные волноводы в стекле, полученные электрически
стимулированным ионным обменом
С. Ш. Геворкян, Г. А. Багдасарян
|
190–192 |
|
|
Влияние собственного магнитного поля на перенос электронных потоков
Е. А. Ливадный
|
193–195 |
|
|
Промежуточная кристаллизация ионно-аморфизированного кремния
в процессе наносекундного лазерного отжига
Г. Д. Ивлев
|
195–197 |
|
|
Неустойчивость Релея в канале проплавления
В. В. Владимиров, В. Н. Горшков, В. Н. Замков, В. Я. Порицкий, А. Д. Шевелев
|
197–200 |
Обратная связь: