|
От редакционной коллегии
|
6 |
|
|
Влияние параметров инжекционных лазеров на восстановление фазовых голограмм
В. В. Никитин, В. Д. Самойлов, Г. И. Семенов
|
7–13 |
|
|
Лазерный проекционный микроскоп
К. И. Земсков, А. А. Исаев, М. А. Казарян, Г. Г. Петраш
|
14–15 |
|
|
Комбинационный лазер с плоским резонатором, накачиваемый сходящимся пучком
И. М. Бельдюгин, Я. З. Вирник, Е. И. Егошин, Е. М. Земсков, И. А. Федулов
|
16–26 |
|
|
Возможность построения арифметического устройства с помощью управляемых световых транспарантов
Л. А. Орлов, Ю. М. Попов
|
27–34 |
|
|
Двухрезонаторный инжекционный лазер с сильной оптической связью
В. Д. Курносов, А. Т. Семенов
|
35–42 |
|
|
Эффект насыщения в полупроводниках при оптических переходах без сохранения квазиимпульса с учетом неоднородности поля
И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
|
43–47 |
|
|
Оптическая память на основе структуры металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл
Г. М. Гуро, Ю. М. Попов
|
48–53 |
|
|
О возбуждении электромагнитных волн TEn с высоким поперечным индексом и зависимость
порога генерации и эффективности лазерных диодов от порядка возбуждаемой моды
В. И. Бородулин, В. И. Швейкин
|
54–61 |
|
|
К теории коэффициента усиления в полупроводниковых квантовых генераторах
А. Г. Алексанян, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов
|
62–68 |
|
|
Теория порога лазерной генерации в однородном сильно легированном полупроводнике в квантующем магнитном поле
С. В. Биржис, Л. П. Годенко, В. С. Машкевич
|
69–77 |
|
|
Оптическая оперативная память на инжекционных лазерах
Н. Ф. Ковтонюк, В. В. Кострюков, В. А. Морозов, В. В. Никитин, В. Д. Самойлов
|
78–83 |
|
|
Восстановление голографического изображения излучением полупроводникового лазерного экрана
Б. И. Васильев, В. И. Козловский, А. С. Насибов, А. Н. Печенов
|
84–90 |
|
|
Исследование флуктуаций частоты гелий-неонового лазера на длину волны 0,63 мкм в технической области спектра
Г. А. Милушкин, Б. И. Трошин
|
91–95 |
|
|
Импульсная генерация на колебательных переходах молекулы СО в смеси с ксеноном
А. В. Анохин, С. В. Маркова, Г. Г. Петраш
|
96–101 |
|
|
Влияние пульсаций излучения на спектр генерации полупроводникового лазера
Р. Г. Аллахвердян, В. Н. Морозов, А. Ф. Сучков
|
102–107 |
|
|
Об энергетических характеристиках миллисекундного режима генерации лазеров на неодимовом стекле
Б. В. Ершов, В. Б. Федоров
|
108–113 |
|
|
КГС-3 – лазер с электронной накачкой на антимониде галлия
Ю. А. Акимов, А. А. Буров, В. А. Коваленко, И. В. Крюкова, Т. Ф. Никитина, Ю. В. Петрушенко, Г. В. Родиченко, Б. М. Степанов, В. А. Яковлев
|
114–118 |
|
|
Спектры образования центров окраски в лазерных стеклах
Л. Б. Глебов, М. Н. Толстой
|
119–123 |
|
|
Неоднородный вывод энергии высших поперечных типов колебаний в газовом оптическом квантовом генераторе
Ю. В. Троицкий
|
124–128 |
|
|
Характеристики мощного лазера на иттрий-алюминиевом гранате
В. Г. Михалевич, Г. П. Шипуло
|
129–133 |
|
|
Оптический квантовый генератор на неодимовом стекле с высокочастотной модуляцией добротности
А. П. Арапов, В. Р. Муратов, Ю. К. Сидоренко
|
134–137 |
|
|
Краткие сообщения
|
|
|
Скоростной электрооптический затвор на основе кристалла DKDP
А. М. Вакуленко, П. Г. Крюков, Ю. А. Матвеец, В. И. Пантелеев, Ю. В. Сенатский, А. И. Федосимов, В. Т. Юров
|
138–141 |
|
|
Полупроводниковые лазеры с гетероструктурой при электронной накачке
Ю. А. Быковский, И. Г. Гончаров, И. Т. Рассохин, А. Ф. Узкий
|
141–143 |
|
|
Спонтанное и лазерное излучение селенида галлия при электронном возбуждении
Г. Б. Абдуллаев, В. Б. Антонов, Т. Э. Мехтиев, Э. Ю. Салаев
|
143–146 |
|
|
Наблюдение сверхтонкой структуры селективного отражения от паров Cs133 с помощью полупроводникового лазера
Ю. А. Быковский, В. Л. Величанский, А. Л. Иршинский, В. А. Маслов, В. Л. Смирнов
|
146–149 |
|
|
Исследование динамики излучения полупроводникового лазера типа «излучающее зеркало» с внешним резонатором
О. В. Богданкевич, Б. И. Васильев, А. С. Насибов, А. З. Обидин, А. Н. Печенов, М. М. Зверев
|
149–151 |
|
|
Влияние СВЧ-модуляции на спектр излучения инжекционного лазера
П. Г. Елисеев, Л. П. Иванов, А. С. Логгинов, К. Я. Сенаторов
|
151–154 |
|
|
Модуляция излучения в полупроводниках с помощью эффекта Ганна
И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, В. С. Ройтберг
|
155–158 |
|
|
Запись голограмм электроннолучевой трубкой с лазерным экраном
В. И. Козловский, Н. А. Костров, А. С. Насибов, А. Н. Печенов
|
158–159 |
|
|
Модуляция излучения инжекционного лазера с двусторонним гетеропереходом
К. Я. Сенаторов, А. С. Логгинов, Л. П. Иванов, Б. С. Введенский, В. В. Розанов
|
160–162 |
|
|
Инжекционный лазер со средней мощностью излучения 200 мВт
В. И. Бородулин, В. А. Горбылев, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин
|
163–164 |
|
|
Влияние ширины спектральной линии на возбуждение вынужденного рассеяния в резонаторах
Б. А. Аканаев, И. М. Бельдюгин, В. Б. Герасимов
|
164–167 |
|
|
Восстановление микроголограмм с текстовой информацией с помощью инжекционных лазеров
В. П. Карпельцев, В. Д. Самойлов
|
167–169 |
|
|
Исследование многолучевого полупроводникового лазера с излучающей решеткой
О. Н. Прозоров, Л. А. Ривлин, Н. В. Шелков, С. Д. Якубович
|
169–172 |
|
|
Расчет стационарных характеристик многорезонаторного инжекционного лазера
А. Т. Семенов, С. Д. Якубович
|
173–176 |
|
|
Запись инжекционными лазерами микроголограмм с высоким разрешением
Ю. П. Захаров, В. В. Кострюков, М. А. Майорчук, В. В. Никитин, Р. В. Рябова, В. Д. Самойлов, Д. М. Самойлович, К. А. Сейранова
|
176–178 |
|
|
Параметры лазеров на AlxGa1–xAs с электронной накачкой в видимой области спектра
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, И. В. Крюкова, Ю. В. Петрушенко, Б. М. Степанов
|
178–180 |
|
|
Поглощение линий генерации лазера на двуокиси углерода в парах OsO4
Е. Н. Базаров, Г. А. Герасимов, Ю. И. Посудин
|
180–183 |
|
|
Газодинамический лазер на окиси углерода
В. Ф. Гавриков, А. П. Дронов, В. К. Орлов, А. К. Пискунов
|
183–185 |
|
|
Удлинение лазерных импульсов с помощью нелинейно поглощающих полупроводников CdP2 и ZnP2
М. П. Лисица, П. Е. Мозоль, И. В. Фекешгази
|
185–187 |
|
|
Исследование стимулированного излучения кристаллов Sr2Y5F19 с ионами Nd3+
А. А. Каминский, С. Э. Саркисов, К. Б. Сейранян, Б. П. Соболев
|
187–189 |
|
|
Мощный ультрафиолетовый лазер с накачкой поперечным разрядом
Ю. В. Ткач, Е. А. Лемберг, Н. П. Гадецкий, И. И. Магда
|
189–191 |
|
|
Временные характеристики в лазерах с двойным гетеропереходом
Л. Н. Курбатов, В. И. Молочев, В. В. Никитин, А. И. Шарин
|
191–193 |
|
|
Использование электроннолучевой трубки с полупроводниковым лазерным экраном для записи фазовых голограмм на фотопластических носителях
Ю. М. Баженов, В. И. Козловский, Н. Г. Кувшинский, Л. А. Митрофанова, А. С. Насибов, В. П. Папуша, А. Н. Печенов, И. М. Почерняев
|
193–195 |
|
|
Управление поляризацией излучения гетеролазера с помощью одностороннего сжатия
П. Г. Елисеев, А. И. Красильников, А. В. Хайдаров, Г. Г. Харисов
|
196–197 |
|
|
Оптический квантовый генератор длинных наносекундных импульсов с многогранным активным элементом
В. В. Козлов
|
197–200 |
|
|
Влияние геометрии лазерной камеры на мощность излучения лазера на азоте
В. Ф. Тарасенко, А. И. Федоров, В. Ф. Лосев
|
200–203 |
|
|
Связь между лазерной остаточной фотоэмиссией, качеством полировки и световой прочностью поверхности прозрачного диэлектрика
И. Е. Красноцветова, С. С. Семенцов, С. П. Тибилов, И. А. Ферсман, Л. Д. Хазов
|
203–204 |
|
|
Влияние растворителя на параметры генерации непрерывнодействующего лазера на красителе
Е. Н. Антонов, В. Г. Колошников, В. Р. Мироненко, Д. Н. Никогосян
|
204–206 |
|
|
Использование двулучепреломления, наведенного в активных элементах из иттрий-алюминиевого граната с неодимом, для получения поляризованного света
В. Г. Михалевич, Г. П. Шипуло
|
207–208 |
|
|
Применение пленочных волноводов в оптоэлектронике для считывания информации с голограмм
Ю. А. Быковский, А. В. Маковкин, В. Л. Смирнов
|
208–211 |
|
|
Расчет источника накачки оптического квантового генератора с селективным отражением
И. И. Литвинов, В. В. Подувальцев
|
211–215 |
|
|
Предельная когерентность колебаний типа TEM00 непрерывного лазерного излучения
С. М. Аракелян, А. Г. Арутюнян, С. А. Ахманов, В. Г. Тункин, А. С. Чиркин
|
215–217 |
|
|
Моноимпульсная голография на инжекционных лазерах
Ю. А. Быковский, Н. Н. Евтихиев, В. А. Елхов, А. И. Ларкин, В. И. Молочев, В. В. Никитин
|
217–219 |
|
|
|
Правила оформления рукописей, представляемых в журнал «Квантовая электроника»
|
238–239 |
Обратная связь: