|
|
2013, том 43, номер 5
|
 |
|
 |
|
Полупроводниковые лазеры. Физика и технология
|
|
Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах
В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. Н. Яблонский
|
401–406 |
|
|
Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850 – 870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами
М. А. Ладугин, Ю. П. Коваль, А. А. Мармалюк, В. А. Петровский, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, А. А. Падалица, В. А. Симаков
|
407–409 |
|
|
Диагностика тонкого спектра в квантовой яме лазерных гетероструктур ультразвуковой деформацией
Л. А. Кулакова, Н. С. Аверкиев, А. Н. Даринский, Э. З. Яхкинд
|
410–413 |
|
|
Расчет спектра мод шепчущей галереи в цилиндрических резонаторах с возмущенными граничными условиями
А. А. Донцов, А. М. Монахов, Н. С. Аверкиев
|
414–417 |
|
|
Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра
Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, М. Аланзи, А. Хамидалддин, А. Альямани
|
418–422 |
|
|
Влияние характеристик аксикона и параметра качества пучка $M^2$ на формирование бесселевых пучков излучения полупроводниковых лазеров
Г. С. Соколовский, В. В. Дюделев, С. Н. Лосев, М. Буткус, К. К. Соболева, А. И. Соболев, А. Г. Дерягин, В. И. Кучинский, В. Сиббет, Э. У. Рафаилов
|
423–427 |
|
|
Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах
З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян
|
428–432 |
|
|
Письма
|
|
|
Наблюдение двух областей селективного отражения света от тонкой пленки холестерического жидкого кристалла
Р. Б. Алавердян, Т. К. Дадалян, Ю. С. Чилингарян
|
433–434 |
|
|
Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма
|
|
|
Двойное релятивистское зеркало ускоренных электронов
А. А. Андреев, К. Ю. Платонов
|
435–442 |
|
|
Генерация мощных когерентных аттосекундных рентгеновских импульсов с помощью релятивистских электронных зеркал
В. В. Кулагин, В. Н. Корниенко, В. А. Черепенин, Х. Сак
|
443–448 |
|
|
Моделирование распространения тепловой волны в мишени в условиях облучения высокоинтенсивным p-поляризованным лазерным излучением
В. Ю. Политов
|
449–457 |
|
|
Управляемая внешним квазирезонансным полем самоорганизованная агрегация пары частиц с разными резонансными частотами и электродипольными моментами переходов
В. В. Слабко, А. С. Ципотан, А. С. Александровский
|
458–462 |
|
|
Создание люминесцентных эмиттеров интенсивным лазерным излучением в прозрачных средах
Е. Ф. Мартынович, А. В. Кузнецов, А. В. Кирпичников, Е. В. Пестряков, С. Н. Багаев
|
463–466 |
|
|
Лазеры
|
|
|
Волоконный иттербиевый лазер с перестройкой длины волны в диапазоне 1017 – 1040 нм и генерацией второй гармоники
Е. И. Донцова, С. И. Каблуков, С. А. Бабин
|
467–471 |
|
|
Волноводный СО2-лазер с квазиоднородным распределением интенсивности выходного излучения
С. А. Власенко, О. В. Гурин, А. В. Дегтярев, В. А. Маслов, В. А. Свич, А. Н. Топков
|
472–476 |
|
|
Управление параметрами лазерного излучения
|
|
|
Управление режимами генерации кольцевого чип-лазера при воздействии постоянным магнитным полем
Т. В. Аулова, Н. В. Кравцов, Е.Г. Ларионцев, С. Н. Чекина, В. В. Фирсов
|
477–480 |
|
|
Влияние пространственных неоднородностей пучков на параметры лазерной петаваттной системы на основе каскадного параметрического усиления
С. А. Фролов, В. И. Трунов, Е. В. Пестряков, В. Е. Лещенко
|
481–488 |
|
|
Активные среды
|
|
|
Люминесцентные характеристики эксимерных молекул Хе2Сl при накачке импульсным электронным пучком плотных газовых смесей Xe–CCl4
А. И. Миськевич, Ц. Го
|
489–495 |
|
|
Метаматериалы
|
|
|
Анализ оптических свойств планарных метаматериалов посредством нахождения мультипольных моментов составляющих их метаатомов
А. А. Павлов, В. В. Климов, Ю. В. Владимирова, В. Н. Задков
|
496–501 |
|
|
Некролог
|
|
|
Памяти Льва Абрамовича Ривлина
О. Н. Крохин, А. С. Сигов
|
502 |
|
|
Обратная связь: