|
|
2019, том 49, номер 6
|
 |
|
 |
|
Подборка работ, доложенных на Симпозиуме 'Полупроводниковые лазеры: физика и технология'
|
|
Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером
А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков
|
519–521 |
|
|
Лазеры на квантовых точках с асимметричными барьерными слоями: близкие к идеальным пороговые и мощностные характеристики
Л. В. Асрян
|
522–528 |
|
|
Влияние параметров квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на пороговую плотность тока лазерных диодов
М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк
|
529–534 |
|
|
Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. В. Нагорный, А. В. Данильчик, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов
|
535–539 |
|
|
Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. В. Нагорный, В. А. Шуленкова, Г. П. Яблонский, А. Н. Алексеев, С. И. Петров, Я. А. Соловьёв, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, В. А. Солодуха
|
540–544 |
|
|
Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Г. Ляйсте, М. Ринке
|
545–551 |
|
|
Стабильный режим генерации лазерного излучения в микропорошках CdSSe
М. С. Леоненя, А. В. Нагорный, Б. Д. Урманов, В. А. Шуленкова, Г. П. Яблонский
|
552–555 |
|
|
Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм
М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. В. Румянцев, В. В. Уточкин, В. И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов
|
556–558 |
|
|
Генерация разностной частоты в двухчастотном полупроводниковом дисковом лазере: модель с запаздывающей обратной связью
Ю. А. Морозов, М. И. Балакин, Л. А. Кочкуров, А. И. Конюхов, М. Ю. Морозов
|
559–562 |
|
|
Активная область функционально-интегрированного лазера-модулятора
Е. А. Рындин, Б. Г. Коноплев
|
563–569 |
|
|
Лазеры
|
|
|
Управление спектральными параметрами ионов неодима в анизотропных кристаллах со структурой шеелита
Г. В. Шилова, А. А. Сироткин, П. Г. Зверев
|
570–576 |
|
|
Лазерная плазма
|
|
|
Трехканальный поляроинтерферометр для диагностики лазерной плазмы с фемтосекундным временным разрешением
Е. А. Болховитинов, Г. А. Господинов, К. А. Иванов, А. А. Рупасов, А. Б. Савельев
|
577–580 |
|
|
Прецизионное измерение потерь в оптических волокнах малой длины рефлектометрическим методом без использования рэлеевского рассеяния света
Б. Г. Горшков, Г. Б. Горшков, К. М. Жуков
|
581–584 |
|
|
Исследование характеристик оптического преобразования длины волны с помощью нового волокна с сильной нелинейностью и ультравыровненной дисперсией
С. Селвендран, А. Сиванантарайя
|
585–592 |
|
|
Лазерное разделение изотопов
|
|
|
Изотопно-селективная лазерная ИК диссоциация смешанных ван-дер-ваальсовых кластеров (CF3Br)mArn
А. Н. Петин, Г. Н. Макаров
|
593–599 |
|
|
Стандарты частоты
|
|
|
Мультичастотный источник накачки КПН-резонансов на основе диодного лазера с внешним резонатором
А. А. Исакова, Н. Н. Головин, К. Н. Савинов, А. К. Дмитриев
|
600–603 |
|
|
Лазерная спектроскопия
|
|
|
Измерения полностью разрешенного контура линии поглощения углекислого газа в полосе на λ = 1.605 мкм в столбе атмосферы методом гетеродинной спектрорадиометрии высокого разрешения
С. Г. Зеневич, А. Ю. Климчук, В. М. Семенов, М. В. Спиридонов, А. В. Родин
|
604–611 |
|
|
Персоналия
|
|
|
К 90-летию Ю.М. Попова
О. Н. Крохин
|
612 |
|
|
Обратная связь: