|
Computational nanotechnology, 2017, выпуск 3, страницы 22–23
(Mi cn139)
|
|
|
|
НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Тепловые свойства GaAs/ALGaAs солнечных элементов, «прозрачных» за длинноволновым краем основной полосы поглощения
М. А. Абдукадыровa, Н. А. Ахмедоваa, А. С. Ганиевa, Р. А. Муминовb a Ташкентский университет информационных технологий
b Физико-Технический Институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
Аннотация:
Работа посвящена исследованию тепловых свойств солнечных элементов на основе GaAs/AlGaAs/GaP гетероструктур с общей толщиной сильно поглощающего GaAs слоя, не превышающей суммы длины диффузии неосновных носителей заряда и двусторонней контактной сеткой. Показано, что на основе подобных гетероструктур можно реализовать солнечные элементы, работающие в режиме естественно-конвективного теплообмена до 100 кратной концентрации солнечного потока.
Ключевые слова:
гетероструктура, твердый раствор, ширина запрещенной зоны, узкозонный полупроводник коэффициент теплопроводности, температурный коэффициент.
Образец цитирования:
М. А. Абдукадыров, Н. А. Ахмедова, А. С. Ганиев, Р. А. Муминов, “Тепловые свойства GaAs/ALGaAs солнечных элементов, «прозрачных» за длинноволновым краем основной полосы поглощения”, Comp. nanotechnol., 2017, № 3, 22–23
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/cn139 https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2017/i3/p22
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 167 | PDF полного текста: | 40 | Список литературы: | 21 |
|