Фотолюминесценция пористого фосфида индия, обусловленная квантовыми переходами в объемно-ограниченных слоях

Задачи. В настоящее время особое внимание уделяется изучению свойств пористого InP, благодаря перспективам использования его в качестве материала для создания свето-эмиссионных диодов и солнечных батарей. В настоящей работе обсуждается природа спектров ФЛ пористого фосфида индия и ее зависимость от степени пористости образцов.
Методы. Спектры фотолюминесценции регистрировались с помощью спектральной установки КСВУ-23 при комнатной температуре. В качестве источника возбуждения использовался полупроводниковый лазер с длиной волны 375 нм. Химический состав был изучен при помощи метода EDAX, дифрактометрические исследования проводились с помощью дифрактометра ДРОН-3М.
Выводы. Спектры фотолюминесценции пористых слоев InP n-типа характеризуется полосой ФЛ в видимой части спектра с максимумом в области (535 - 560) нм, которая связана с квантоворазмерными эффектом в нанокристаллитов пористого InP и полосой в области (410 - 460) нм, которая связана с наличием оксидов на поверхности пористого слоя.
Практическое значение. Настоящие исследования позволят приблизиться к пониманию природы ФЛ пористых материалов. Это является необходимым условием для создания светоизлучающих устройств на основе por-InP.