|
Computational nanotechnology, 2018, выпуск 3, страницы 65–67
(Mi cn202)
|
|
|
|
05.14.03 ЯДЕРНЫЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УСТАНОВКИ, ВКЛЮЧАЯ ПРОЕКТИРОВАНИЕ
Полупроводниковые детекторы ядерного излучения на основе гетерепереходных структур Al-$\alpha$Ge-pSi-Au для измерения малоинтенсивных ионизирующих излучений
С. А. Раджаповa, Р. Х. Рахимовb, М. Джапкличa, М. А. Зуфаровa, Б. С. Раджаповa a Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз. Ташкент, Узбекистан
b Институт материаловедения НПО «Физика-Солнце» АН РУз. Ташкент, Узбекистан
Аннотация:
В данной работе рассмотрены технологические особенности изготовления детекторов ядерного излучения диаметром до 100 мм и толщиной до 0,5 мм, на основе Al-nGe-pSi-Au структур. Исследованы особенности вольтамперных и радиометрических характеристик детектора.
Ключевые слова:
полупроводниковый Al-nGe-pSi-Au детектор, монокристаллический кремний р-типа, чувствительная область, «мертвый» слой, альфа-частиц.
Образец цитирования:
С. А. Раджапов, Р. Х. Рахимов, М. Джапклич, М. А. Зуфаров, Б. С. Раджапов, “Полупроводниковые детекторы ядерного излучения на основе гетерепереходных структур Al-$\alpha$Ge-pSi-Au для измерения малоинтенсивных ионизирующих излучений”, Comp. nanotechnol., 2018, № 3, 65–67
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/cn202 https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2018/i3/p65
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 203 | PDF полного текста: | 59 | Список литературы: | 1 |
|