С. А. Раджапов, Р. Х. Рахимов, М. Джапклич, М. А. Зуфаров, Б. С. Раджапов, “Полупроводниковые детекторы ядерного излучения на основе гетерепереходных структур Al-$\alpha$Ge-pSi-Au для измерения малоинтенсивных ионизирующих излучений”, Comp. nanotechnol., 2018, № 3, 65

Computational nanotechnology

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Comp. nanotechnol.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Computational nanotechnology, 2018, выпуск 3, страницы 65–67 (Mi cn202)

05.14.03 ЯДЕРНЫЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УСТАНОВКИ, ВКЛЮЧАЯ ПРОЕКТИРОВАНИЕ
Полупроводниковые детекторы ядерного излучения на основе гетерепереходных структур Al-$\alpha$Ge-pSi-Au для измерения малоинтенсивных ионизирующих излучений

С. А. Раджапов^a, Р. Х. Рахимов^b, М. Джапклич^a, М. А. Зуфаров^a, Б. С. Раджапов^a

^a Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз. Ташкент, Узбекистан
^b Институт материаловедения НПО «Физика-Солнце» АН РУз. Ташкент, Узбекистан

PDF полного текста (14069 kB)

Аннотация: В данной работе рассмотрены технологические особенности изготовления детекторов ядерного излучения диаметром до 100 мм и толщиной до 0,5 мм, на основе Al-nGe-pSi-Au структур. Исследованы особенности вольтамперных и радиометрических характеристик детектора.

Ключевые слова: полупроводниковый Al-nGe-pSi-Au детектор, монокристаллический кремний р-типа, чувствительная область, «мертвый» слой, альфа-частиц.

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: С. А. Раджапов, Р. Х. Рахимов, М. Джапклич, М. А. Зуфаров, Б. С. Раджапов, “Полупроводниковые детекторы ядерного излучения на основе гетерепереходных структур Al-$\alpha$Ge-pSi-Au для измерения малоинтенсивных ионизирующих излучений”, Comp. nanotechnol., 2018, № 3, 65–67

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{RadRakDzh18}

\by С.~А.~Раджапов, Р.~Х.~Рахимов, М.~Джапклич, М.~А.~Зуфаров, Б.~С.~Раджапов

\paper Полупроводниковые детекторы ядерного излучения на основе гетерепереходных структур Al-$\alpha$Ge-pSi-Au для измерения малоинтенсивных ионизирующих излучений

\jour Comp. nanotechnol.

\yr 2018

\issue 3

\pages 65--67

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/cn202}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/cn202

https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2018/i3/p65

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	190
PDF полного текста:	55
Список литературы:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы