Computational nanotechnology
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Comp. nanotechnol.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Computational nanotechnology, 2018, выпуск 3, страницы 65–67 (Mi cn202)  


05.14.03 ЯДЕРНЫЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ УСТАНОВКИ, ВКЛЮЧАЯ ПРОЕКТИРОВАНИЕ
Полупроводниковые детекторы ядерного излучения на основе гетерепереходных структур Al-$\alpha$Ge-pSi-Au для измерения малоинтенсивных ионизирующих излучений

С. А. Раджаповa, Р. Х. Рахимовb, М. Джапкличa, М. А. Зуфаровa, Б. С. Раджаповa

a Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз. Ташкент, Узбекистан
b Институт материаловедения НПО «Физика-Солнце» АН РУз. Ташкент, Узбекистан
Аннотация: В данной работе рассмотрены технологические особенности изготовления детекторов ядерного излучения диаметром до 100 мм и толщиной до 0,5 мм, на основе Al-nGe-pSi-Au структур. Исследованы особенности вольтамперных и радиометрических характеристик детектора.
Ключевые слова: полупроводниковый Al-nGe-pSi-Au детектор, монокристаллический кремний р-типа, чувствительная область, «мертвый» слой, альфа-частиц.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Раджапов, Р. Х. Рахимов, М. Джапклич, М. А. Зуфаров, Б. С. Раджапов, “Полупроводниковые детекторы ядерного излучения на основе гетерепереходных структур Al-$\alpha$Ge-pSi-Au для измерения малоинтенсивных ионизирующих излучений”, Comp. nanotechnol., 2018, № 3, 65–67
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RadRakDzh18}
\by С.~А.~Раджапов, Р.~Х.~Рахимов, М.~Джапклич, М.~А.~Зуфаров, Б.~С.~Раджапов
\paper Полупроводниковые детекторы ядерного излучения на основе гетерепереходных структур Al-$\alpha$Ge-pSi-Au для измерения малоинтенсивных ионизирующих излучений
\jour Comp. nanotechnol.
\yr 2018
\issue 3
\pages 65--67
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/cn202}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn202
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2018/i3/p65
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Computational nanotechnology
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:203
    PDF полного текста:59
    Список литературы:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024