Computational nanotechnology
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Comp. nanotechnol.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Computational nanotechnology, 2019, том 6, выпуск 2, страницы 160–163
DOI: https://doi.org/10.33693/2313-223X-2019-6-2-160-163
(Mi cn250)
 

05.14.00. ЭНЕРГЕТИКА
05.14.08 ЭНЕРГОУСТАНОВКИ НА ОСНОВЕ ВОЗОБНОВЛЯЕМЫХ ВИДОВ ЭНЕРГИИ

Computer modeling thin film growth on the surface by low energy cluster deposition
[Компьютерное моделирование роста тонких пленок на поверхности методом низкоэнергетического кластерного осаждения]

R. A. Muminova, A. M. Rasulovb, N. I. Ibragimovc

a Physical-Technical Institute, Uzbekistan Academy of Sciences
b Tashkent University of Information Technologies Ferghana branch
c Ferghana Polytechnic Institute
Аннотация: Представлен доклад о прогрессе в понимании свойств биметаллических наночастиц, их взаимодействии с поверхностями, последующем за замедлением низкой энергии, и свойств наноструктурированных материалов, образующихся с этими частицами. Наночастица содержит от нескольких атомов для самых маленьких до нескольких тысяч для самых больших, рассмотренных здесь. Свойства атома являются результатом квантования, и то же самое верно для молекул, которые они образуют. То же самое, таким образом, верно и для мельчайших наночастиц. С другой стороны, многие свойства макроскопических материалов хорошо описываются классическим подходом, и наночастицы появляются как объекты на границе поля между квантовым и классическим поведением. При изучении их свойств, используя либо квантовый, либо классический подход, методы атомного масштаба оказываются естественно хорошо подходящими. Атомы рассматриваются как отдельные объекты, взаимодействующие только через электроны внешней оболочки. Однако даже при таком приближении решение уравнения Шредингера быстро становится непомерно тяжелым, поскольку число участвующих атомов увеличивается. Для самых тяжелых элементов релятивистские эффекты делают проблему еще более тяжелой.
Ключевые слова: компьютерное моделирование, низкая энергия, кластер, осаждение, замедление, молекулярная динамика, распараллеливание, модель встроенного атома.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: R. A. Muminov, A. M. Rasulov, N. I. Ibragimov, “Computer modeling thin film growth on the surface by low energy cluster deposition”, Comp. nanotechnol., 6:2 (2019), 160–163
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MumRasIbr19}
\by R.~A.~Muminov, A.~M.~Rasulov, N.~I.~Ibragimov
\paper Computer modeling thin film growth on the surface by low energy cluster deposition
\jour Comp. nanotechnol.
\yr 2019
\vol 6
\issue 2
\pages 160--163
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/cn250}
\crossref{https://doi.org/10.33693/2313-223X-2019-6-2-160-163}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=38583721}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn250
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn/v6/i2/p160
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Computational nanotechnology
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:136
    PDF полного текста:29
    Список литературы:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024