Computational nanotechnology
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Comp. nanotechnol.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Computational nanotechnology, 2022, том 9, выпуск 4, страницы 70–77
DOI: https://doi.org/10.33693/2313-223X-2022-9-4-70-77 (Mi cn398) 		 
НАНОТЕХНОЛОГИИ И НАНОМАТЕРИАЛЫ

Моделирование электрических свойств солнечного элемента с многими наногетеро-переходами

Э. З. Имамовa, Р. А. Муминовb, Р. Х. Рахимовc, Х. Н. Каримовa, М. А. Аскаровd

a Ташкентский университет информационных технологий имени Мухаммеда аль-Хорезмий (ТУИТ) Министерства по развитию информационных технологий и коммуникаций Республики Узбекистан
b Физико-технический институт НПО “Физика-Солнце” Академии наук Узбекистана
c Институт материаловедения Академии наук Республики Узбекистан
d Каракалпакский государственный университет имени Бердаха Министерства высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан
PDF полного текста (576 kB)
DOI: https://doi.org/10.33693/2313-223X-2022-9-4-70-77
Аннотация: Параметры роста, оптимальные электрофизические и оптические свойства, обеспечивающие достаточно высокие скорости преобразования солнечного излучения в электричество и предсказуемый и контролируемый характер значения КПД, определяются компьютерным моделированием полуфеноменологической модели гетероконтактной структуры и ее вольтамперной характеристики.
Ключевые слова: предположительно катастрофический рост, парниковый эффект, углекислый газ, вольтамперная характеристика, математическое моделирование.
Поступила в редакцию: 14.11.2022
Принята в печать: 18.12.2022
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. З. Имамов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, Х. Н. Каримов, М. А. Аскаров, “Моделирование электрических свойств солнечного элемента с многими наногетеро-переходами”, Comp. nanotechnol., 9:4 (2022), 70–77
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ImaMumRak22}
\by Э.~З.~Имамов, Р.~А.~Муминов, Р.~Х.~Рахимов, Х.~Н.~Каримов, М.~А.~Аскаров
\paper Моделирование электрических свойств солнечного элемента с многими наногетеро-переходами
\jour Comp. nanotechnol.
\yr 2022
\vol 9
\issue 4
\pages 70--77
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/cn398}
\crossref{https://doi.org/10.33693/2313-223X-2022-9-4-70-77}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn398
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn/v9/i4/p70
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Computational nanotechnology
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:103
    PDF полного текста:58
    Список литературы:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024