|
Computational nanotechnology, 2015, выпуск 4, страницы 51–63
(Mi cn52)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Теоретическая модель новой контактной структуры «нанообъект-полупроводник»
Э. З. Имамовa, Т. А. Джалаловa, Р. А. Муминовb, Р. Х. Рахимовc a Ташкентский университет информационных технологий
b Физико-Технический Институт. Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
c Институт Материаловедения. Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
Аннотация:
В работе представлена теоретическая модель формирования области пространственного заряда в принципиально новых контактных структурах, состоящих из полупроводниковой базы и нанесенных на неё нановключений.
Свойства нового типа контакта (и по структуре, и по протяженности) принципиально отличаются от аналогичных контактных структур типа барьеров Шоттки, сплошных $p-n$-переходов и гетеропереходов.
На основе разработанной теоретической модели новой контактной структуры объяснено эффективное фотопреобразование в широком инфракрасном диапазоне солнечного излучения, наблюдаемое в эксперименте.
Показано, что эффективное поглощение инфракрасного излучения становится возможным благодаря удлинению области пространственного заряда, что обеспечивается созданием непосредственно на подложке многих наноразмерных $p-n$-переходов. При этом допускается в качестве подложки использование относительно дешевых материалов.
Образец цитирования:
Э. З. Имамов, Т. А. Джалалов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Теоретическая модель новой контактной структуры «нанообъект-полупроводник»”, Comp. nanotechnol., 2015, № 4, 51–63
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/cn52 https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2015/i4/p51
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 205 | PDF полного текста: | 64 | Список литературы: | 19 |
|