Computational nanotechnology
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Comp. nanotechnol.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Computational nanotechnology, 2015, выпуск 4, страницы 51–63 (Mi cn52)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Теоретическая модель новой контактной структуры «нанообъект-полупроводник»

Э. З. Имамовa, Т. А. Джалаловa, Р. А. Муминовb, Р. Х. Рахимовc

a Ташкентский университет информационных технологий
b Физико-Технический Институт. Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
c Институт Материаловедения. Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
Список литературы:
Аннотация: В работе представлена теоретическая модель формирования области пространственного заряда в принципиально новых контактных структурах, состоящих из полупроводниковой базы и нанесенных на неё нановключений.
Свойства нового типа контакта (и по структуре, и по протяженности) принципиально отличаются от аналогичных контактных структур типа барьеров Шоттки, сплошных $p-n$-переходов и гетеропереходов.
На основе разработанной теоретической модели новой контактной структуры объяснено эффективное фотопреобразование в широком инфракрасном диапазоне солнечного излучения, наблюдаемое в эксперименте.
Показано, что эффективное поглощение инфракрасного излучения становится возможным благодаря удлинению области пространственного заряда, что обеспечивается созданием непосредственно на подложке многих наноразмерных $p-n$-переходов. При этом допускается в качестве подложки использование относительно дешевых материалов.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. З. Имамов, Т. А. Джалалов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Теоретическая модель новой контактной структуры «нанообъект-полупроводник»”, Comp. nanotechnol., 2015, № 4, 51–63
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ImaDjaMum15}
\by Э.~З.~Имамов, Т.~А.~Джалалов, Р.~А.~Муминов, Р.~Х.~Рахимов
\paper Теоретическая модель новой контактной структуры <<нанообъект-полупроводник>>
\jour Comp. nanotechnol.
\yr 2015
\issue 4
\pages 51--63
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/cn52}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25216499}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn52
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2015/i4/p51
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Computational nanotechnology
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:205
    PDF полного текста:64
    Список литературы:19
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024