|
Computational nanotechnology, 2016, выпуск 3, страницы 196–202
(Mi cn88)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
НАУЧНАЯ ШКОЛА РАХИМОВА Р.Х.
НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Отличительные особенности контактных структур с наноразмерными включениями полупроводниковых фотодиодов
Э. З. Имамовa, Т. А. Джалаловa, Р. А. Муминовb, Р. Х. Рахимовc a Ташкентский университет информационных технологий
b Физико-Технический Институт. Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
c Институт Материаловедения. Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
Аннотация:
В комплексе работ [1-5] была разработана модель принципиально новой контактной структуры, которая формируется напылением освещаемой поверхности технического кремния электроемкими нановключениями из другого полупроводника. Фотопреобразователь на её основе проявляет уникальные электрофизические свойства. В данной работе показаны основные структурные отличия нового контакта от традиционных полупроводниковых фотодиодов.
Ключевые слова:
солнечная энергетика, солнечный элемент, нановключения, квантовые точки, наноразмерная контактная структура, наноразмерный «p-n переход».
Образец цитирования:
Э. З. Имамов, Т. А. Джалалов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Отличительные особенности контактных структур с наноразмерными включениями полупроводниковых фотодиодов”, Comp. nanotechnol., 2016, № 3, 196–202
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/cn88 https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2016/i3/p196
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 188 | PDF полного текста: | 52 | Список литературы: | 32 |
|