Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1986, том 291, номер 6, страницы 1362–1365 (Mi dan47784)  
КРИСТАЛЛОГРАФИЯ

Деформационная электронная плотность в кристалле соединения $\mathrm{YNi}_2\mathrm{Ge}_2$

В. К. Бельскийa, О. И. Бодакb, Е. И. Гладышевскийb, В. Е. Заводникa, В. К. Печарскийb

a Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова, г. Москва
b Львовский государственный университет им. Ив. Франко
PDF полного текста (636 kB)
Статья представлена к публикации: Б. К. Вайнштейн
Поступило: 18.07.1985
Тип публикации: Статья
УДК: 548
Образец цитирования: В. К. Бельский, О. И. Бодак, Е. И. Гладышевский, В. Е. Заводник, В. К. Печарский, “Деформационная электронная плотность в кристалле соединения $\mathrm{YNi}_2\mathrm{Ge}_2$”, Докл. АН СССР, 291:6 (1986), 1362–1365
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BelBodGla86}
\by В.~К.~Бельский, О.~И.~Бодак, Е.~И.~Гладышевский, В.~Е.~Заводник, В.~К.~Печарский
\paper Деформационная электронная плотность в кристалле соединения $\mathrm{YNi}_2\mathrm{Ge}_2$
\jour Докл. АН СССР
\yr 1986
\vol 291
\issue 6
\pages 1362--1365
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan47784}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan47784
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v291/i6/p1362
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:196
    PDF полного текста:75
    Список литературы:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026