Формирование доменной структуры в аморфизированных лазером областях микропроводов PrDyFeCoB

Локальное облучение поликристаллического микропровода PrDyFeCoB создает на его поверхности тонкий слой аморфного-кристаллического материала глубиной 2–3 $\mu$m. Этот магнитомягкий материал с коэрцитивной силой 10 Oe разбивается на домены, с намагниченностью, направленной в плоскости поверхностного слоя. Движение доменной границы с ростом магнитного поля и поглощение доменов обратной намагниченности является главным механизмом в поверхностном слое. В локально аморфизированных областях зависимость скорости доменной стенки от магнитного поля соответствует режиму ползучести доменных стенок. В полностью аморфных микропроводах скорость движения доменов на два порядка величины выше и демонстрирует переход от режима ползучести к режиму скольжению.