Зависимость характеристик переключения кристаллов ТГС от толщины

При изучении динамики доменов методом НЖК установлено, что характеристики переключения (плотность зародышей доменов $n$, скорость бокового движения доменных стенок $v$ и полное время переключения $\tau_{s}$) кристаллов ТГС всех исследованных толщин (от 1 до ${5\cdot10^{-4}}$ см) в зависимости от напряженности внешнего переполяризующего поля являются экспоненциальными и характеризуются при этом дискретным рядом значений полей активации процессов начального зарождения доменов $\beta_{i}$ бокового перемещения доменных стенок $\delta_{i}$ и процесса переполяризации в целом $\alpha_{i}$. Показано, что зависимость полей активации от толщины образца можно исключить введением поправки к внешнему переполяризующему полю $E$ на величину внутреннего поля ${E_{s}=U_{s}/d}$, где ${U_{s}\approx1}$ В для кристалла ТГС при комнатной температуре.