Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2023, том 65, выпуск 4, страницы 572–576
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2023.04.55293.8 (Mi ftt10638) 		 
Сегнетоэлектричество

Формирование и исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе пленок оксида гафния

М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, В. А. Лузанов, Г. В. Чучева

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
PDF полного текста (1871 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2023.04.55293.8
Аннотация: Пленки оксида гафния (HfO$_2$) синтезированы на кремниевую подложку методом магнетронного распыления мишени аналогичного состава. Представлены результаты исследований структурного состава пленок HfO$_2$ и электрофизических свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник (Ni-HfO$_2$-$n$-Si).
Ключевые слова: структуры металл–диэлектрик–полупроводник, сегнетоэлектрические пленки оксида гафния, пьезоэлектрический отклик, микроструктура, электрофизические свойства.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 23-49-10014
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 23-49-10014, https://rscf.ru/en/project/23-49-10014/.
Поступила в редакцию: 18.12.2022
Исправленный вариант: 18.12.2022
Принята в печать: 24.01.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, В. А. Лузанов, Г. В. Чучева, “Формирование и исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе пленок оксида гафния”, Физика твердого тела, 65:4 (2023), 572–576
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AfaBelKis23}
\by М.~С.~Афанасьев, Д.~А.~Белорусов, Д.~А.~Киселев, В.~А.~Лузанов, Г.~В.~Чучева
\paper Формирование и исследование структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе пленок оксида гафния
\jour Физика твердого тела
\yr 2023
\vol 65
\issue 4
\pages 572--576
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt10638}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2023.04.55293.8}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=53737613}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt10638
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v65/i4/p572
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:197
    PDF полного текста:94
    Список литературы:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026