Возбуждение терагерцевого излучения в $p$–$n$-гетероструктурах на основе $a$-Si:H/$c$-Si

Приведены результаты исследования генерации терагерцового (THZ) излучения в $p$–$n$-гетероструктурах на основе $a$-Si:H/$c$-Si при их фотовозбуждении излучением фемтосекудного титан-сапфирового лазера с длиной воны 800 nm. Свойства наблюдаемого ТГц-излучения позволяют объяснить его возбуждением в структурах быстрого фототока неравновесных носителей заряда, созданных фемтосекундным межзонным фотовозбуждением в области потенциального барьера. Быстрый фототок в свою очередь излучает ТГц-электромагнитную волну. Волновые формы и амплитудные спектры наблюдаемого ТГц-излучения отражают динамику фотовозбужденных носителей заряда в структурах. По интенсивности ТГц-излучение, наблюдаемое в исследованных $p$–$n$-гетероструктурах на основе $a$-Si:H/$c$-Si, сопоставимо с ТГц-излучением, генерируемым в кристаллах $n$-InAs, широко применяемых как эмиттеры в системах ТГц-спектроскопии во временной области. Поэтому $a$-Si:H/$c$-Si $p$–$n$-гетероструктуры могут найти применение в качестве ТГц-эмиттеров для решения задач ТГц-спектроскопии.