|
|
Физика твердого тела, 2015, том 57, выпуск 1, страницы 95–100
(Mi ftt11263)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Примесные центры
Изотопно-индуцированная генерация парамагнитных дефектов при пластическом деформировании кристаллов $^{29}$Si
О. В. Коплакab, А. И. Дмитриевac, Р. Б. Моргуновac a Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
b Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко
c Московский государственный гуманитарный университет им. М. А. Шолохова
Аннотация:
Обнаружено, что количество парамагнитных кластеров, образующихся при пластической деформации кристаллов кремния, увеличивается в кристаллах, обогащенных изотопом $^{29}$Si. Установлено, что в деформационных кластерах парамагнитных дефектов имеются антиферромагнитные спин-спиновые взаимодействия с энергией $\sim$ 30–50 K. Влияние сверхтонкого взаимодействия на спин-зависимые реакции кремния с кислородом либо изменение упругих констант и дилатации кристаллической решетки могут быть причинами образования деформационных дефектов в обогащенных кристаллах $^{29}$Si.
Поступила в редакцию: 22.04.2014 Принята в печать: 25.06.2014
Образец цитирования:
О. В. Коплак, А. И. Дмитриев, Р. Б. Моргунов, “Изотопно-индуцированная генерация парамагнитных дефектов при пластическом деформировании кристаллов $^{29}$Si”, Физика твердого тела, 57:1 (2015), 95–100; Phys. Solid State, 57:1 (2015), 100–105
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt11263 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v57/i1/p95
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 162 | | PDF полного текста: | 107 |
|