Магнитные и магниторезистивные свойства многослойных наноструктур (Со/СоО)$_{60}$

Исследованы структура, электрические, магнитные и магниторезистивные свойства тонких пленок (Со/СоО)$_{60}$. Методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии было показано, что полученные пленки являются многослойными, при этом увеличение толщины прослойки Co до 0.8 nm приводит к переходу от островковых слоев Co в сплошной матрице CoO к многослойной структуре. Исследования электрических свойств показало, что в исследованной системе происходит последовательная смена доминирующего механизма переноса от прыжкового механизма проводимости по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми с переменной длиной прыжка к прыжкам по ближайшим соседям. Исследования магнитных и магнитооптических свойств показали наличие магнитной анизотропии в образцах вблизи порога протекания и за ним. Магнитосопротивление определяется механизмом спин-зависимого туннелирования между гранулами и кластерами металлического Co для образцов до порога протекания, а за порогом конкурирующими вкладами анизотропного магнитосопротивления перколяционной сетки ферромагнитного кобальта и лоренцева магнитосопротивления.