Влияние примеси Mn на экситон-фононное взаимодействие в кристаллах GaSe

Иследование спектров КР кристаллов GaSe, содержащих примеси Мn, показано, что интеркаляция слоистого кристалла примесью Мn приводит к появлению локализованного колебания с частотой 44 см$^{-1}$. Установлено, что данное колебание лежит в плоскости кристаллических слоев и может быть объяснено в рамках одномерной цепочки как колебание, отщепленное от межслоевого оптического колебания ($E'^{2}$). Появление такого колебания существенно в процессах экситон-фононного взаимодействия и приводит к низкотемпературному относительно чистых кристаллов GaSe уширению и росту интегральной интенсивности экситонной полосы поглощения.