Особенности проявления низкочастотного механизма диэлектрических потерь в кристаллах ДТГСел

Исследованы температурные зависимости низкочастотных диэлектрических потерь $\operatorname{tg}\delta$ вблизи точек фазовых переходов кристаллов системы триглицинселенат–дейтерированный триглицинселенат. Установлено, что эти потери в случае фазового перехода 1-го рода обусловлены специфическим низкочастотным механизмом. Рассмотрено влияние на него амплитуды и частоты измерительного поля, величины постоянного электрического поля, дейтерирования, а также дефектов, генерированных в образцах рентгеновским излучением.