|
Сегнетоэлектричество
Надежность МДП-структур на основе пленок титаната бария стронция и оксида гафния
М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, В. А. Лузанов, Г. В. Чучева Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Аннотация:
Сегнетоэлектрические пленки титаната бария стронция (BST) и оксида гафния (HfO$_2$) синтезированы на кремниевые подложки методом высокочастотного напыления и магнетронного распыления соответственно. Представлены результаты исследований структурного состава пленок BST и HfO$_2$ и электрофизических свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник (Ni-BST-Si) и (Ni-HfO$_2$-Si) на их основе.
Ключевые слова:
сегнетоэлектрические пленки, титанат бария стронция (BST), оксид гафния (HfO$_2$), структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), электрофизические свойства.
Поступила в редакцию: 28.05.2025 Исправленный вариант: 01.10.2025 Принята в печать: 02.10.2025
Образец цитирования:
М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, В. А. Лузанов, Г. В. Чучева, “Надежность МДП-структур на основе пленок титаната бария стронция и оксида гафния”, Физика твердого тела, 67:10 (2025), 1928–1931
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt12677 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v67/i10/p1928
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 179 | | PDF полного текста: | 99 |
|