Особенности глубинных профилей распределения имплантированных ионов кобальта в рутиле TiO$_2$

Представлены результаты расчетов глубинных профилей распределения концентрации примеси, имплантированной в анизотропный кристаллический материал. Учтены распыление облучаемого материала, быстрая одномерная диффузия примеси вдоль структурного канала и накопление внедряемой примеси на разных глубинах. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными профилями распределения ионов кобальта, имплантированных в кристаллическую структуру рутила (TiO$_2$) как вдоль, так и поперек структурного канала при различных температурах облучаемой подложки. Из сравнения модельных профилей с экспериментальными оценены скорости осаждения кобальта в матрице TiO$_2$ на различных центрах преципитации. На основе построенной модели объясняется необычное движение пика концентрационного распределения имплантированных ионов в глубь образца с повышением температуры облучаемой подложки. Модель позволяет разделить вклады от разных фаз примеси, наночастиц и твердого раствора, в магнетизм системы Co : TiO$_2$.