Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2010, том 52, выпуск 4, страницы 709–717 (Mi ftt13685)  
Эта публикация цитируется в 21 научных статьях (всего в 21 статьях)

Магнетизм. Сегнетоэлектричество

Тонкие сегнетоэлектрические пленки: получение и перспективы интеграции

А. С. Сиговa, Е. Д. Мишинаa, В. М. Мухортовb

a Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
b Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
PDF полного текста (883 kB) Список цитирования (21) Английская версия
Аннотация: Рассматриваются свойства тонких пленок (Ba,Sr)TiO$_3$ и BiFeO$_3$ и наноструктур на их основе. Пленки изготавливаются методом высокочастотного распыления в атмосфере кислорода с повышенным давлением, наноструктуры – методом фокусированного ионного травления; электрическое поле прикладывается в планарной структуре встречно-штыревых электродов. Исследуются структура, диэлектрические, электро-оптические и нелинейно-оптические свойства полученных образцов в широком диапазоне толщин и частот электрического поля. Показана высокая эффективность планарного переключения и его влияния на оптические свойства полученных структур. Наноструктурирование позволяет изменять диэлектрические и оптические свойства исследуемых материалов и таким образом увеличивать диапазон переключения функциональных параметров.
Поступила в редакцию: 27.07.2009
Английская версия:
Physics of the Solid State, 2010, Volume 52, Issue 4, Pages 762–770
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783410040153
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Сигов, Е. Д. Мишина, В. М. Мухортов, “Тонкие сегнетоэлектрические пленки: получение и перспективы интеграции”, Физика твердого тела, 52:4 (2010), 709–717; Phys. Solid State, 52:4 (2010), 762–770
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SigMisMuk10}
\by А.~С.~Сигов, Е.~Д.~Мишина, В.~М.~Мухортов
\paper Тонкие сегнетоэлектрические пленки: получение и перспективы интеграции
\jour Физика твердого тела
\yr 2010
\vol 52
\issue 4
\pages 709--717
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt13685}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20320975 }
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2010
\vol 52
\issue 4
\pages 762--770
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783410040153}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt13685
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v52/i4/p709
    • Эта публикация цитируется в следующих 21 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:98
    PDF полного текста:65
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026