Электронный спиновый резонанс в ориентированных нанопроволоках Ge$_{0.99}$Cr$_{0.01}$

Исследован электронный спиновый резонанс в нанопроволоках Ge$_{0.99}$Cr$_{0.01}$, выращенных в нанопорах анодированного оксида алюминия. В интервале температур 4–300 K в спектрах электронного спинового резонанса нанопроволок наблюдается асимметричная изотропная резонансная линия, отвечающая парамагнитному резонансу носителей заряда. При температурах ниже 50–70 K в спектрах спинового резонанса нанопроволок Ge$_{0.99}$Cr$_{0.01}$ появляется множество дополнительных резонансных линий, отвечающих антиферромагнитному резонансу в кластерах GeCr. Обнаружено закономерное уменьшение эффективного $g$-фактора асимметричной линии Дайсона, соответствующей носителям заряда в германии, с увеличением спин-орбитального взаимодействия в ряду ионов переходных металлов Mn$^{2+}$, Cr$^{2+}$, Fe$^{3+}$, Co$^{2+}$, которыми были легированы нанопроволоки германия.