Высокочастотные вольт-фарадные характеристики структур металл–Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$–термический окисел–кремний

Сформированы структуры с пленками сегнетоэлектрика состава Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$ и толщиной 300 nm, осаждением на кремниевые подложки с тонким термическим окислом на поверхности. Подтвержден факт снижения концентрации электронных ловушек в переходном слое между кремнием и диэлектриком при использовании пластин Si, покрытых термическим окислом. Проведены измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик созданных структур и показано, что у объектов на подложках кремния с пленкой термического окисла на поверхности, в отличие от пластин с естественным окислением, канал неосновных свободных носителей заряда под полевым электродом в полупроводнике открывается, что создает перспективу успешного применения подобных структур в производстве, например, ячеек памяти FeRAM.