Температурные изменения порогового поля диэлектрических потерь триглицинсульфата вблизи T$_k$

Исследованы при различных температурах амплитудные зависимости низкочастотного тангенса угла диэлектрических потерь номинально чистых и облученных рентгеновскими лучами образцов триглицинсульфата. Установлено, что при определенном для данной температуры значении порогового поля $E_{\text{п}}$ в образце начинается отрыв доменных границ от закрепляющих их дефектов. Величина $E_{\text{п}}$ монотонно уменьшается с повышением температуры, стремясь к нулю при приближении температуры к точке Кюри $T_{K}$. Вблизи $T_{K}$ зависимости $E^{2}_{\text{п}}$ от температуры для всех образцов изменяются по линейному закону. Линейный характер зависимостей $E^{2}_{\text{п}}(T)$ объясняется в рамках термодинамической теории.