Роль рассеяния на мелких нейтральных центрах в кинетических явлениях при низкой температуре

Модель потенциала нулевого радиуса использована для рассмотрения кинетических явлений в полупроводниках в случае рассеяния носителей заряда на нейтральных примесных центрах. Получены формулы, определяющие подвижность, холловский $r$-фактор, поперечный коэффициент Нернста–Эттингсгаузена и термоэдс как для случая простой зоны (зона проводимости), так и для случая рассеяния дырок из сложной валентной зоны. Проведено измерение холловской подвижности и поперечного коэффициента Нернста–Эттингсгаузена для электронов в GaAs $n$-типа при температурах ниже 78 K в условиях межзонной подсветки, когда доминирующим механизмом является рассеяние носителей заряда на нейтральных примесных центрах. Обнаружено, что коэффициент Нернста–Эттингсгаузена меняет знак при ${T=3.6}$ K. Перемена знака связана с немонотонным характером зависимости от энергии времени релаксации по импульсу электронов в случае их рассеяния на нейтральных центрах.