ЭПР в карбиде кремния, легированном бором

В широком интервале температур (${3.4\div300}$ K) и частот (9.35 и 74 ГГц) изучены спектры ЭПР в $3C$, $2H$, $4H$ и $6H$ политипных модификациях SiC, легированных бором. Путем изучения кристаллов, обогащенных изотопами $^{13}$С, $^{10}$В и $^{11}$В, показано, что основные активные центры в SiC : В представляют собой атомы бора, замещающие атомы кремния. Проведен анализ политипной зависимости спектров ЭПР и соответствующих им моделей парамагнитных центров. В частности, установлено, что в $3C{-}$SiC : В, по данным ЭПР, при ${T\leqslant50}$ K отмечается статическое проявление ян-теллеровского растяжения тетраэдров ВС$_{4}$ вдоль направлений, близких к $\langle111\rangle$. В гексагональных позициях политипов $4H$ и $6H$, а также в политипе $2H$ тетраэдры ВС$_{4}$ растянуты вдоль направлений $\langle0001\rangle$.