Сверхпроводящий переход в тонких слоях PbTe, легированного таллием

Методом измерения температурной зависимости удельного сопротивления $\rho(T)$ в диапазоне температур 0.4$-$4.2 K в отсутствие и при наличии магнитного поля ${H\leqslant13}$ кЭ исследован сверхпроводящий переход в тонких слоях (толщиной ${\sim1}$ мкм) РbТе$\langle$Tl$\rangle$ и РbТе$\langle$Tl, Na$\rangle$ с различным содержанием примесей, напыленных на слюдяную подложку. Определены параметры сверхпроводящего перехода $T_{c}$ и $\frac{\partial H_{c2}}{\partial T}\big|_{T\to T_{c}}$, холловская подвижность $(R\sigma)_{4.2\,\text{K}}$ и плотность состояний на уровне Ферми в нормальном состоянии $N(O)$ в зависимости от холловской концентрации дырок $p_{77}$ и состава образцов. Экспериментальные данные обсуждены в рамках модели квазилокальных примесных состояний таллия в теллуриде свинца.