|
|
Физика твердого тела, 1984, том 26, выпуск 4, страницы 1179–1182
(Mi ftt2818)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Электрофизические свойства кристаллов $\gamma$-PbGe$_{4}$O$_{9}$
Н. Е. Скороходов, А. Ю. Шашков, А. А. Буш, Ю. Н. Веневцев Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова
Поступила в редакцию: 28.03.1983 Исправленный вариант: 30.09.1983
Образец цитирования:
Н. Е. Скороходов, А. Ю. Шашков, А. А. Буш, Ю. Н. Веневцев, “Электрофизические свойства кристаллов $\gamma$-PbGe$_{4}$O$_{9}$”, Физика твердого тела, 26:4 (1984), 1179–1182
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt2818 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v26/i4/p1179
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 90 | | PDF полного текста: | 65 |
|