Поведение полупроводников A$^{4}$B$^{6}$ в статическом электрическом поле

В модели сильной связи зонной структуры соединении A$^{4}$B$^{6}$ определен фононный вклад в статическую диэлектрическую проницаемость и объяснены аномальные значения поперечных эффективных зарядов. Найдена величина спонтанной поляризации ниже точки сегнетоэлектрического фазового перехода. Рассмотрен квадратичный электрооптический эффект. Дано самосогласованное определение потенциала ионности, формирующего среднюю диэлектрическую щель в кубической фазе. Предсказано, что изменение электронной плотности на узлах металла и халькогена при структурном искажении приводит к увеличению ионности.