Нарушение симметрии резистивного перехода тонких пленок в магнитном поле

Исследован переход в резистивное состояние сверхпроводящих тонких пленок индия. Впервые обнаружено явление токовой асимметрии вольт-амперных характеристик (ТА), заключающееся в изменении величины критического тока при перемене знака приложенного к образцу перпендикулярного магнитного поля $H_{\perp}$. Установлено, что оно является одним из следствий расположения в пленке дефектов и неоднородностей. Проведено описание типов ТА в пределе сильного саморазогрева области движения вихрей.