Кинетика процесса переполяризации кристаллов ТГС с примесью $L$-$\alpha$-аланина

Методом нематических жидких кристаллов (НЖК) проведены наблюдения динамики доменов и исследованы температурные зависимости времен переключения и пороговых полей процесса переполяризации кристаллов АТГС. Показано, что примесь $L\text{-}\alpha$-аланина (20 вес.% в растворе) незначительно (на 1$-$2 K) расширяет область существования сегнетоэлектрической фазы, в то время как пороговые поля остаются отличными от нуля в более широкой области выше точки Кюри. Выделены две компоненты внутреннего смещающего поля, одна из которых $E_{\alpha}$ изменяется слабо, другая — $E_{s}$ уменьшается при повышении температуры, испытывая инверсию знака при $T_{и}$=42 – 47$^{\circ}$С. Обсуждается природа компонент $E_{\alpha}$ и $E_{s}$ и причина их различной температурной зависимости.