Влияние доменных стенок на подвижность носителей тока в ферромагнитных полупроводниках

Теоретически рассмотрен вклад, вносимый доменными стенками в подвижность носителей тока в ферромагнитных полупроводниках. В рамках приближения среднего поля для спинов магнитных атомов доменная стенка представляет собой потенциальный барьер для электронов, который электроны с малыми энергиями могут преодолеть только путем туннелирования. Вычислена низкоэнергетическая асимптотика коэффициента прохождения через барьер и для невырожденного электронного газа определена подвижность в случае, когда длина свободного пробега электронов не меньше толщины стенки.