Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры в непрямозонных полупроводниках

Для описания многофононной рекомбинации предложена система адиабатических потенциалов (термов), учитывающая симметрию примесного состояния и особенности зонной структуры полупроводника. В рамках этой модели проведены расчеты сечений многофононного захвата электронов и дырок и вероятностей их термической ионизации на примере глубокого акцепторного уровня симметрии $T_{2}$ в кремнии. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными по захвату и термоионизации носителей с акцепторного уровня золота в Si.