Влияние слабого магнитного поля на резонансное насыщение ИК поглощения в полупроводниках с вырожденной валентной зоной

Рассматривается влияние постоянного магнитного поля на резонансное насыщение поглощения инфракрасного излучения в полупроводниках с вырожденными зонами типа $p$-Ge. Показано, что уже достаточно слабые магнитные поля увеличивают коэффициент нелинейного поглощения вплоть до его линейного значения. Порог нелинейности по интенсивности при этом пропорционален величине магнитного поля. Показано,что при интенсивностях, бо́льших пороговой, коэффициент поглощения обратно пропорционален интенсивности ИК излучения. В зависимости от величины магнитного поля возможны когерентный (поле влияет на вероятность оптического перехода) и некогерентный (вероятность от поля не зависит) режимы насыщения. При когерентном режиме возникает инверсия функции распределения дырок в окрестности вертикального перехода.