Подавление сегнетоэлектричества малыми механическими напряжениями в кристаллах ТМА$-$CoCl$_{4}$

Подробно исследован эффект полного подавления сегнетоэлектричества малыми одноосными напряжениями сжатия в кристаллах ТМА$-$CoCl$_{4}$. Регистрация сегнетоэлектрических свойств проведена по данным измерения спонтанной поляризации $P_{s}$ и аномальной компоненты диэлектрической проницаемости гхх. Установлено, что полное исчезновение сегнетоэлектрической фазы осуществляется при сжатии кристалла компонентами напряжений $\sigma_{zz}$, $\sigma_{yy}$ и эффект практически отсутствует при сжатии компонентой $\sigma_{xx}$ (ось $X\parallel P_{s}$). Построены фазовые $\sigma_{zz}$, $T$- и $\sigma_{yy}$, $T$-диаграммы с критическими точками при $(\sigma_{zz})_{\text{кр}}\simeq 17$, $(\sigma_{yy})_{\text{кр}}\simeq 25$ кГ/cм$^{2}$. Дается сравнение результатов измерений с данными для кристалла ТМА$-$ZnCl$_{4}$.