Насыщение катодолюминесценции, связанной с изоэлектронной примесью Te в CdS$_{1-x}$Te$_{x}$ и ZnS$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x\leqslant 0.05}$) при высоких уровнях возбуждения

Исследовано насыщение катодолюминесценции монокристаллов CdS$_{1-x}$Te$_{x}$ и ZnS$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x\leqslant 0.05}$), обусловленной аннигиляцией локализованных на изоэлектронной примеси экситонов, при высокой плотности тока электронного пучка $j$. Обнаружено, что при ${x>5\cdot10^{-4}}$ плотность тока $j_{\text{н}}$, при которой начинается уменьшение эффективности излучения, не зависит от концентрации теллура, примерно в 6 раз меньше в CdS$_{1-x}$Te$_{x}$ по сравнению с ZnS$_{1-x}$Te$_{x}$ и соответствует уровню возбуждения, при котором среднее расстояние между локализованными экситонами сравнимо с размером области локализации. С увеличением $j$ при ${j >j_{\text{н}}}$ мощность излучения изменяется как $j{\scriptstyle1/2}$, характерные времена высвечивания уменьшаются, а спектр излучения не претерпевает заметных изменений. Полученные результаты объясняются на основе простой модели, учитывающей безызлучательную Оже-рекомбинацию локализованных экситонов.